Wirtschafts- und Technologiepolitik und ihre Auswirkung auf den internationalen Wettbewerb: Das Beispiel der Halbleiterindustrie [1 ed.] 9783428482610, 9783428082612

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HANNS GÜNTHER HILPERT · WOLFGANG OCHEL HORST PENZKOFER · MICHAEL REINHARD

Wirtschafts- und Technologiepolitik und ihre Auswirkung auf den internationalen Wettbewerb: Das Beispiel der Halbleiterindustrie

Schriftenreihe des ifo Instituts für Wirtschaftsforschung Nr. 138

Wirtschafts- und Technologiepolitik und ihre Auswirkung auf den internationalen Wettbewerb: Das Beispiel der Halbleiterindustrie Von

Hanns Günther Hilpert, Wolfgang Ochel Horst Penzkofer und Michael Reinhard unter Mitarbeit von Eberhard von Pilgrim und Hans Schedl

Duncker & Humblot I Berlin · München

Die Deutsche Bibliothek- CIP-Einheitsaufnahme Wirtschafts- und Technologiepolitik und ihre Auswirkung auf den internationalen Wettbewerb : das Beispiel der Halbleiterindustrie I von Hanns Günther Hilpert ... Unter Mitarb. von Eberhard von Pilgrim und Hans Schedl. - Berlin : Duncker und Humblot, 1994 (Schriftenreihe des ifo Instituts für Wirtschaftsforschung ; Nr. 138) ISBN 3-428-08261-3 NE: Hilpert, Hanns Günther; ifo Institut für Wirtschaftsforschung (München): Schriftenreihe des ifo Instituts .. .

Alle Rechte vorbehalten © 1994 Duncker & Humblot GmbH, Berlin Fotoprint: Berliner Buchdruckerei Union GmbH, Berlin Printed in Germany ISSN 0445-0736 ISBN 3-428-08261-3 Gedruckt auf alterungsbeständigem (säurefreiem) Papier gemäß der ANSI-Norm für Bibliotheken

Vorwort

Die Mikroelektronik, wirtschaftlicher Kernbereich der Halbleiterindustrie, gilt als Schlüsseltechnologie. ln vielen Industrieländern versuchen staatliche Instanzen, durch wirtschafts- und technologiepolitische Maßnahmen die internationale Wettbewerbsfähigkeit der heimischen Unternehmen zu fördern oder dem nationalen Standort im Halbleiterbereich Vorteile zu verschaffen. Ein solches staatliches Verhalten hat Auswirkungen auf den internationalen Wettbewerb. Im Auftrag des Bundesministers für Wirtschaft hat das ifo Institut für Wirtschaftsforschung untersucht, ob und gegebenenfalls wo internationale Wettbewerbsverzerrungen für die deutsche Halbleiterindustrie vorliegen. Außerdem wurden Vorschläge zur Beseitigung oder Reduzierung der erfaßten Wettbewerbsverzerrungen erarbeitet. Bei der Durchführung der Untersuchung wurde das ifo Institut von zahlreichen Personen und Institutionen unterstützt. Ihnen möchten wir an dieser Stelle danken. Besonders hervorheben möchten wir die Hilfestellung durch die Brookings Institution in den USA, das Deutsche Wirtschaftsbüro Taiwan, das Wirtschaftsforschungsinstitut BIPE in Frankreich, die Korean Development Bank, die lndustrial Development Authority Ireland und Locate in Scotland. Außerdem danken die Autoren Marlies Hummel, Abteilungsleiterin im ifo Institut, für die Quantifizierung von lnvestitionsfördermaßnahmen im internationalen Vergleich und die Entwicklung des Indikators für Investitions- und Wachstumsverteile einzelner Standorte.

München, im September 1994

Prof. Dr. K.H. Oppenländer Präsident des ifo Instituts für Wirtschaftsforschung

Inhalt

Allgemeiner Teil

1

1

Einführung ....................................................................... .

3

2

Produktions- und Wettbewerbsbedingungen in der Halbleiterindustrie ............. .. ..... ....................... .. . ....... .... ...

7

TEIL A:

2.1 2.2 2.3 2.4 2.5

3

3.1 3.2 3.3 3.4

4

4.1 4.2

Abgrenzungen und Produkte der Halbleiterindustrie .... .. ... ... ..... Innovationsdynamik und produktionsbezogene Wettbewerbsbedingungen .. ............. ........ ... ....................... ... .. .. ... ....... . Stückkosten und Preissetzung ................ .... .. .................. ...... .. .. ... Führende Hersteller und vertikale Integration .... .. ......... .............. Strategische Allianzen ...... .... .. ...................... .............. .......... .........

12 22 26 33

Staatliche Interventionen und die Erfassung Ihrer wettbewerbsverzerrenden Wirkungen ........ ....... ... ... .

38

Begründungen für staatliche Interventionen in der Halbleiterindustrie .. .. .. ... ... ... .. .. ... .. .. .. .. ... .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. ... .. .. .. .. .. .. .. .. .. ... ... .. .... ... Art der Interventionen ... .. ... .. .. .. ... .. .. .. .. .. .. .. .. ... .. ... .. .. .. .. ... .. .. .. ... ... ... Gegenstand der Interventionen .. .. ... .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. ... .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. . Erfassung der wettbewerbsverzerrenden Wirkungen staatlicher Interventionen .............................................................

7

38 41 42 47

Staatliche Eingriffe in die Halbleiterindustrie Im Internationalen Vergleich ......................... .... .......... ......

49

Gemeinsamkeiten und Unterschiede in der Wirtschaftsund Technologiepolitik .. .. .. .. .... .. .. .... .. .. .. .. .. ... .. .. .. .. .. .. .. ... ... ... .. .. ... .. Förderung von Forschung und Entwicklung ... .. .. .. .. .. .. ... ... .. .. .. .. .

49 54

VII

4.3 4.4 4.5

Förderung von Investition und Produktion ................ ...... .. .. ........ Marktzugangsbeschränkungen .. .. .. ... .. .. .. .... .. .. .. ... .. ... .. .. .. .. ... .. .. ... . Staatliche Wettbewerbsverzerrungen im Überblick sowie sonstige Wettbewerbs- und Standortfaktoren .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .

5

Anforderungen an die Wirtschafts- und Technologiepolitik ........................................................................ ........

5.1

5.2 5.3 5.4 5.5

Überlegungen zum wirtschaftspolitischen Handlungsbedarf.......... ..................... ...................... ..... ......................... ......... Ausgestaltung der Forschungs- und Technologiepolitik .. ........ .. Harmonisierung der Investitionsförderung .................. ...... ...... .... Abbau der Marktzugangsbeschränkungen ................ ...... ........... Verbesserung der sonstigen Wettbewerbs- und Standortbedingungen ... .. .. .. .. .. .. .. ..... ... .. ..... ......... ..................... ..... ...... ... ... ..

TEIL B:

6

JAPAN .............................................................................. .

6.1

7

Länderberichte

93

1 01

101 105 111 112 115

117

119

Die japanische Halbleiterindustrie ... .. .. .. .. .. ... ... .. .. .. .... .... .... .

119

6.2 Wirtschaftspolitische Philosophie .......................................

123

6.3 6.4 6.5 6.6

Förderung von Forschung und Entwicklung ..................... Förderung von Investition und Produktion ........................ Marktzugangsbeschränkungen ........................... ...... .... .... . Sonstige Maßnahmen .. .. .............. .............. .........................

127 136 141 148

6.7 Einschätzungen ...................................................................

150

KOREA ................................... . .......... .. . . ..... ...................... .

152

7.1 Die koreanische Halbleiterindustrie ................................... 7.2 Wirtschaftspolitische Philosophie .......................................

152 154 158

7.3 Förderung von Forschung und Entwicklung ..................... VIII

70 83

7.4 7.5 7.6 7. 7

8

9

10

Förderung von Investition und Produktion ........................ Marktzugangsbeschränkungen ..................... ............. .. ...... Sonstige Maßnahmen ......................................................... Einschätzungen .. ..................................... ............................

164 167 169 170

TAIWAN ..............................................................................

173

8.1 8.2 8.3 8.4 8.5 8.6 8. 7

Die taiwanesische Halbleiterindustrie .......................... ....... Wirtschaftspolitische Philosophie ...................... ................. Förderung von Forschung und Entwicklung .... .. ...... ...... ... Förderung von Investition und Produktion .. .. .. .......... .... .... Marktzugangsbeschränkungen .. .................................. ...... Sonstige Maßnahmen ......................................... .......... ...... Einschätzungen ..................... ........... ............ ....... .... .... ... .. .. .

173 176 178 183 185 186 187

USA..................................................................................

189

9.1 9.2 9.3 9.4 9.5 9.6 9. 7

Die amerikanische Halbleiterindustrie ....... ........... .. ...... .. .... Wirtschaftspolitische Philosophie ........... ...... ..... .. ... .. ... .... ... Förderung von Forschung und Entwicklung .... ...... .. ......... Förderung von Investition und Produktion .. ............ ...... .... Marktzugangsbeschränkungen .......................... ........ ... .. .. . Sonstige Maßnahmen .. .. ........ ............................... ...... .. ..... . Einschätzungen .. .. .. .. .. .. .. .. .. ... .. ... .. .... .. .. .. .. .. ... .. .. .. .. ... .. .. .. .. .. .

189 192 193 203 207 209 209

EUROPÄISCHE UNION .... .................................................... ..

211

10.1 10.2 10.3 10.4 10.5 10.6 10.7

211 214 217 221 223 227 227

Die europäische Halbleiterindustrie ............... .............. ...... Wirtschaftspolitische Philosophie .... .... .. .. .. .... .. .. ...... .. ......... Förderung von Forschung und Entwicklung ....... .. ............ Förderung von Investition und Produktion .... .................... Marktzugangsbeschränkungen .......................... ...... .. ........ Sonstige Maßnahmen ........ ...... .... ............................ ...... ..... Einschätzungen ............................................................ .......

IX

11

12

13

14

X

DEUTSCHLAND ....................................................... ..... ...... ..

230

11.1 11.2 11.3 11.4 11.5 11.6 11.7

230 233 235 242 248 248 249

Die deutsche Halbleiterindustrie ..... ........................... ....... Wirtschaftspolitische Philosophie .... .............. ........ ............ Förderung von Forschung und Entwicklung ..... ............... Förderung von Investition und Produktion ... .. .................. Marktzugangsbeschränkungen ............................... .......... Sonstige Maßnahmen ............. ...... ...... .. .. ........... ................ Einschätzungen ..................................................................

GROSSBRITANNIEN . ........................ .... ............. ......... ........ ...

251

12.1 12.2 12.3 12.4 12.5 12.6 12.7

251 251 254 255 260 261 261

Die britische Halbleiterindustrie ................................... .. ... Wirtschaftspolitische Philosophie ... ...... ........ ........... ...... ... Förderung von Forschung und Entwicklung .... .... .. ......... Förderung von Investition und Produktion ... ..... ...... .. ...... Marktzugangsbeschränkungen .. ............ .. ....... .. .... ... .. ...... Sonstige Maßnahmen ...................................... ................. Einschätzungen ............................... ..................................

IRLAND ......................... ...................... ...............................

262

13.1 13.2 13.3 13.4 13.5 13.6 13.7

Die irische Halbleiterindustrie .......... ..... ......................... ... Wirtschaftspolitische Philosophie ...................... ...... .. ...... . Förderung von Forschung und Entwicklung .... ...... ......... Förderung von Investition und Produktion ........ ...... .. ...... Marktzugangsbeschränkungen ..... ...................... .... ........ . Sonstige Maßnahmen .................... ............ .... ................... Einschätzungen ... .. .. .. ... .. .. .. .. .. .. ... .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. ... .. .. .. .... .. .. .

262 262 264 264 266 266 266

FRANKREICH ..................................................................... .

269

14.1 Die französische Halbleiterindustrie .. .. ..... .. .. .. .... .... .. .. .. .. .. 14.2 Wirtschaftspolitische Philosophie ..................................... 14.3 Förderung von Forschung und Entwicklung ...................

269 274 274

14.4 14.5 14.6 14.7

Förderung von Investition und Produktion ... .... ..... .... .... .. Marktzugangsbeschränkungen ..... ............ ....... ... ............. Sonstige Maßnahmen .................... ...................... ...... ....... Einschätzungen .... .. ..... .... .. ...................... .. .............. ..........

278 278 278 279

Exkurs: Die fünf Phasen der Chip-Fertigung .........................................

281

Literaturverzeichnis .............. ...... ....... .......... .. ................... ......... ...............

283

Anhang: Umrechnungstabelle ................................................................

295

Tabellen und Abbildungen

Tabelle Nr.:

2.1

Die führenden Unternehmen auf dem Halbleiter-Weltmarkt, 1992 und 1993 ............... .................................................................

27

2.2 Große japanische Elektronik- und Halbleiterkonzerne und ihre Verbindungen zu den großen Unternehmensgruppen sowie Kapitalbeteiligung der Gruppen am Eigenkapital der Elektronikkonzerne ..................... ....................................................................

31

2.3 Strategische Allianzen in der Halbleiterindustrie zwischen den führenden Unternehmen .................................... ......... ........ ... ... .....

34

4.1

Die Förderung der Halbleiterindustrie im internationalen Vergleich ........... .. ............................. .. .................................. ...... .....

53

4.2 FuE-Förderarten in der Halbleiterindustrie im internationalen Vergleich ... .. ...... .. ... .. .... .............................. ......... .. ... ... ..... .. ... .... ......

55

4.3 Die Förderung von Forschung und Entwicklung im internationalen Vergleich ..... ......... ........... .. .... ................... ...... ....... .......... ......

56

4.4 Intensität der staatlichen FuE-Förderung in der Halbleiterindustrie nach Ländern ..................................... ........................ ... ..

62

4.5 lnvestitionsförderarten in der Halbleiterindustrie im internationalen Vergleich ...... ......... .. ............... ..... .. ...... .. ....... .. ... ... ............... ..

72

4.6 Die Förderung von Investition und Produktion im internalen Vergleich ......................... .. .. .. .................................... ............

75

4.7 Steuer-Subventionswerte für Investitionen von Halbleiterunternehmen nach Ländern ............ ............... ............... .. ................... ....

79

4.8 Barwerte der (Netto-)Gewinne von Halbleiterunternehmen nach Ablauf von fünf Jahren ............................ .......................................

81

4.9 Indikator der Investitions- und Wachstumsmöglichkeiten von Halbleiterunternehmen ...................................................................

81

XII

4.1 0 Die Maßnahmen der Marktzugangsregulierung im internationalen Vergleich .. .. ... ... .. .. .. .. ... .. .. ... ... .. .. .. .. ..... .. .. .. .. ... .. ... .. ... ... .. ... .. .

84

4.11

Importzölle auf Halbleiterprodukte ........ .... .. .. .. .. .... .. .. ........... .... ...

87

6.1

Entwicklung der Halbleiterindustrie Japans, 1989 bis 1993 ...... 120

6.2

Verwendung von Halbleitern in Japan, nach Branchen, 1991 ... 121

6.3

Die führenden Halbleiterunternehmen Japans, 1992 .... .. .. ......... 122

6.4

Die nationalen Halbleiterforschungsprojekte Japans, 1962 bis 1994 ............................................................................... 129

6.5

Die laufenden nationalen Halbleiterforschungsprojekte Japans ..........................................................................................

130

6.6

Wichtige unternehmensrelevante Steuern in Japan nach der staatlichen Ebene ......................................................................... 137

7.1

Produktion und Exporte der koreanischen Halbleiterindustrie 1986 bis 1993 .. .. .. .. ... .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. ... .. ... .. .. .. ... .. .. .. .. .. .. .. .. .. ... 153

7.2

Die Gemeinschaftsforschungsprojekte von ETRI in der Halbleiterindustrie, 1987 bis 1990 ........ ............... .... ...... .. .. .. ........ ........ 162

7.3

Die nationalen Halbleiterforschungsprojekte Koreas zur Entwicklung von DRAM-Speicherchips und ihre Finanzierung .. .. ... 163

8.1

Entwicklung der Halbleiterindustrie Taiwans, 1989 bis 1992 .. .. . 174

8.2

Verwendung von Halbleitern in Taiwan nach Branchen .. ........... 175

9.1

Die Marktanteile der USA auf regionalen Halbleitermärkten, 1982, 1988, 1992 .............. .. .. ................... .. .. .. .. ......... ...... .. ............ 191

9.2

Die FuE-Ausgaben der Halbleiterindustrie der USA, 1978 bis 1992 ............................................................................... 198

9.3

Overall Roadmap Technology Characteristics .. .. ......... ... ... ......... 201

9.4

Technical Areas ldentified in SIA Roadmaps .................. ...... ... ... 202

9.5

Die Bruttosachkapitalaufwendungen der Halbleiterindustrie in den USA, 1982 bis 1992 .. .. .. .. .... ... ... .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. ... ... ... .. .. . 204

XIII

9.6

Wichtige unternehmensrelevante Steuern in den USA nach der staatlichen Ebene ................. ........... .... ......................................... 205

1 0.1

Produktion und Verbrauch an Halbleiterbauelementen in Europa ... .................. ......... ................... ............. .. ....... .... ... .. ...... 212

10.2

Fördermittel im Forschungsprogramm ESPRIT (II, 111) im Bereich Mikroelektronik ....................... .................................... 220

10.3

Jährliche Verteilung der Fördermittel im Forschungsprogramm ESPRIT (II, 111) im Bereich der Mikroelektronik ..... .. ..... .... .. ... ... ... . 220

10.4

Zollsätze der Europäischen Union für Halbleiter ....... ... .... ..... ..... 225

11 .1

Institutionelle Forschung auf dem Gebiet der Mikroelektronik .................. .................. ........... .... ........... .. ..... .. .... ... .. .... ..

237

11.2

FuE-Förderung auf den Gebieten Mikroelektronik und Mikrosystemtechnik ... ......... ..... .. ............ .. ....................... .. ............ .. ..... .. 241

12.1

Die Halbleiterindustrie Großbritanniens ..... ........................... ....... 252

13.1

Die Halbleiterindustrie Irlands .......... ...... .......... ..... .. .. ..... ..... .. ... .... 263

13.2

Schätzung der Subventionszahlungen an Intel für die Errichtung einer Waferanlage in Leixlip, Co. Kildare .... ......... ............ ... 267

Abbildung Nr.: 2.1

Kategorien der elektronischen Bauelemente ................... ...........

8

2.2

Klassifikation der Halbleiterprodukte .................. ..................... .. .

9

2.3

Integrationsfortschritte der Halbleitertechnologie bei Speicher-, Mikroprozessor- und ASIC-Produkten ........................................

13

Absatzpreise pro Bit für DRAM-Speicherchips in stilisierter Darstellung .................. ........................................................... ......

16

Aufwendungen für FuE und Produktions- und Prüfanlagen zur DRAM-Herstellung ..................... ........ ........ ............................

18

Lebenszyklus und Weltmärkte für 64 KBit-DRAMs ....................

23

2.4 2.5 2.6

XIV

207

Lebenszyklus, Markteintritt und Rentabilität bei Speicher-Chips in stilisierter Darstellung 00000000000000000 0000000000000000000000000000000000000000000000 25

208

Weltmarkt für Halbleiter nach Abnehmerbranchen im Jahre 1991

OOOOo O o O oOOOOOOo o o o OOO o o o o oOOoooo ooOOO oO o ooo O oOOO o o o o o O o O o ooooOOO O OOoo oO O OOOoOOOOOOO

29

301

Staatliche Interventionen in der Halbleiterindustrie nach ihrem Gegenstand 000000000000 00 0000000000000000000000000000. 00.0000000000000000000. 00000000.. 000000 44

302

Überblick über die steuerlichen und sonstigen lnvestitionsförderarten 0000 000 00 0000000 000 00.00 0000000 000 000000000. 0.0.000.0.00. 000 00000. 00000000 00000000 46 Oo

601

Industriepolitische Förderung der Informations- und Halbleiterindustrie in Japan, 1957 bis 1985 0000 000 000 00 000 00. . o

801

·o

.o

·oo.

0000 125

Die nationalen Halbleiterforschungsprojekte Taiwans 1976 bis 1993

181

Entwicklung und Marktanteile auf dem Welthalbleitermarkt, 1982 bis 1992

190

oooooooooo o o o ooo o ooooooooooooooooooooooooooooooooooooooooooooo o ooooooo o oooo o ooo

901

o o o o o o o o o o o • • • o o o o o o o o o o o o o o o o o o o o o o o o o o o o o o o o ooo o o o o o o o o o o o o o o o o o o o o o o • • o . o o o o

1001

Ziei-1-Gebiete 00000000000.000000000 00 00000000000000. 000000000000000000 00 000000000000000000000 223

1201

Die RSA-Förderregionen in Großbritannien 00000 000000000000000 00000

1202

Förderregionen in Schottland 00 000000000 0 0. 000.... 00 000 00 00000000000000... 00 0.0 258

1401

Regionale Verteilung der Halbleiterindustrie in Frankreich 000000000000000000. 00000000000 00000000000000.o 000. 0000. 00000 0000000000000000 .. 0000000 270

1402

Besitzverhältnisse und Kooperationspartner französischer Halbleiterhersteller 00000 000000 0000000000000 000 00 00 000. 0000000000.00000000000000000000000000 273

o

. o

o o o o o o o

256

o

TEIL A:

ALLGEMEINER TEIL

1

Einführung

Die Mikroelektronik, wirtschaftlicher Kernbereich der Halbleiterindustrie, gilt als Schlüsseltechnologie, deren Verfügbarkeil und Anwendung in wichtigen Nachfragesektoren, wie Informations- und Kommunikationstechnik, Industrie- und Automobilelektronik sowie Konsumelektronik, wettbewerbsentscheidend geworden sind. ln vielen Industrie- und Schwellenländern versuchen staatliche Instanzen, durch wirtschafts-und technologiepolitische Maßnahmen die internationale Wettbewerbsfähigkeit der heimischen Unternehmen zu fördern bzw. dem nationalen Standort im Halbleiterbereich Vorteile zu verschaffen. Ein solches staatliches Verhalten kann zu gravierenden Verzerrungen im internationalen Wettbewerb führen. Die deutsche Halbleiterindustrie fühlt sich durch die wirtschafts- und technologiepolitischen Interventionen ausländischer Regierungen im internationalen Wettbewerb benachteiligt. Der Bundesminister für Wirtschaft hat deshalb das ifo Institut für Wirtschaftsforschung beauftragt, zu untersuchen, ob und wo internationale Wettbewerbsverzerrungen für die deutsche Halbleiterindustrie vorliegen. Außerdem sollten Vorschläge zu deren Beseitigung bzw. Reduzierung erarbeitet werden. Wettbewerbsverzerrungen liegen dann vor, wenn Unternehmen als Folge von staatlichen Interventionen Vor- oder Nachteile habe, durch welche das Kräfteverhältnis im internationalen Wettbewerb verändert wird. Den relativen Vorteilen der inländischen Unternehmen entsprechen relative Nachteile der ausländischen Unternehmen und umgekehrt. ln die folgende Analyse der Wettbewerbsverzerrungen werden nur solche staatlichen Maßnahmen einbezogen, die unter anderem ein Element der Selektivität enthalten, d.h. für eine spezifische Gruppe von Wirtschaftsteilnehmern bestimmt sind. Hierbei handelt es sich um Subventionen und Regulierungen. Die gezielte Vorzugsbehandlung von Unternehmen kann abheben auf einen Wirtschaftszweig (Halbleiterindustrie), einzelne Regionen, einzelne Aktivitäten (wie FuE) usw.. Die Gesamtheit dieser Maßnahmen wird als Wirtschafts- und Technologiepolitik bezeichnet. Für die sektoral ansetzenden Maßnahmen werden die Begriffe spezifische oder sektorale Industriepolitik 1*

3

bzw. Halbleiterpolitik verwendet. Ausgeklammert bleiben allgemeine (nichtselektive) staatliche Maßnahmen, wie die Bereitstellung der materiellen, personellen und institutionellen Infrastruktur. Unerheblich ist, ob es sich bei den staatlichen Interventionen um legitime Maßnahmen im internationalen Standortwettbewarb oder um Regelverstöße handelt (Monopolkommission 1992), d.h. es werden grundsätzlich alle relevanten (sprich selektiven) staatlichen Interventionen berücksichtigt. Neben den staatlich induzierten Wettbewerbsverzerrungen werden von manchen Autoren auch die wettbewerbswidrigen Verhaltensweisen von Unternehmen in die Analyse von Wettbewerbsverzerrungen einbezogen. Hierzu zählen Absprachen über die Aufteilung von Absatzmärkten, internationale Preiskartelle, die Abschottung des Inlandsmarktes gegen lmportkonkurrenz, Zusammenschlüsse von Unternehmen auf bereits hoch konzentrierten Märkten usw.. Diese privaten Wettbewerbsbeschränkungen werden im Rahmen dieser Arbeit nur am Rande behandelt, wie zum Beispiel bei der Analyse der nationalen Wettbewerbspolitik. Im Mittelpunkt werden die staatlich bedingten Wettbewerbsverzerrungen stehen. Staatliche Eingriffe bilden jedoch nur einen von mehreren Bestimmungsfaktoren des nationalen Wettbewerbsvorteils in der Halbleiterindustrie. Nach Porter (1991) wird die internationale Wettbewerbsfähigkeit der in einem Land angesiedelten Unternehmen im wesentlichen durch vier Faktoren beeinflußt: - die Faktorbedingungen (materielle Ressourcen, Humankapital, Wissensressourcen, Kapitalressourcen, Infrastruktur), - die Nachfragebedingungen (Art der Inlandsnachfrage nach Produkten der Branche), - unterstützende und verwandte Branchen (das Vorhandensein von Zuliefarbranchen und verwandten Branchen im Land, die international wettbewerbsfähig sind) sowie - Unternehmensstrategie, Struktur und Wettbewerb (die Bedingungen im Land, die bestimmen, wie Unternehmen entstehen, organisiert sind und geführt werden, und welcher Art die inländische Konkurrenz ist). Der Einfluß der staatlich bedingten Wettbewerbsverzerrungen auf die internationale Wettbewerbsfähigkeit der Halbleiterindustrie in Deutschland läßt sich nur dann angemessen abschätzen, wenn auch die anderen Bestimmungsfak-

4

toren in die Betrachtung einbezogen werden. ln Interviews mit Vertretern der Halbleiterindustrie wurde versucht, die Bedeutung der Wettbewerbsverzerrungen durch Gegenüberstellung mit den anderen Wettbewerbsdeterminanten zu ermitteln. Die Halbleiterindustrie ist durch besondere Innovations- und Produktionsbedingungen gekennzeichnet, die außerhalb des gängigen Schemas der verarbeitenden Industrie liegen. Es handelt sich um eine in hohem Maße forschungs-und entwicklungsintensive und kapitalintensive Branche. Dem hohen Fixkostenanteil stehen nur geringe variable Kosten gegenüber. Die dadurch bedingten degressiven Kostenverläufe werden noch verstärkt durch hohe produktionsabhängige Lerneffekte. Die spezifischen Produktions- und Kostenbedingungen und die starke Innovationsdynamik prägen die Wettbewerbsbedingungen auf den Halbleitermärkten. Entscheidend ist die Erzielung zeitlicher Wettbewerbsvorsprünge. Hinzu kommt die hohe vertikale Integration der Halbleiterindustrie, die mit relativ stabilen Lieferbeziehungen verbunden ist, gleichzeitig aber den Marktzugang erschwert. Da sich die Wirtschafts- und Technologiepolitik nur auf dem Hintergrund der besonderen Produktions- und Wettbewerbsbedingungen der Halbleiterindustrie beurteilen läßt, werden diese vorab dargestellt (Kapitel 2). ln einem zweiten Schritt gilt es, neben einer Analyse der Begründung staatlicher Interventionen das Spektrum wettbewerbsverzerrender Eingriffe in die Wirtschaft einzugrenzen und ein Konzept für die Abschätzung ihrer Wirkungen zu entwickeln. ln die Betrachtung werden nicht nur Subventionen (Finanzhilfen, Steuervergünstigungen), sondern auch Regulierungen der Märkte einschließlich nicht-tarifärer Handelshemmnisse einbezogen. Die Interventionen werden nach ihrem Gegenstand in forschungs- und entwicklungs-, investitions- sowie marktzugangsbezogene Maßnahmen gegliedert. Die Größenordnung der Finanzhilfen und Steuervergünstigungen wird mit Hilfe von Indikatoren und Kapitalnutzungspreisen angegeben. Zur Abschätzung der wettbewerbsverzerrenden Wirkungen werden die Befragungsergebnisse herangezogen (Kapitel 3). ln einem nächsten Schritt werden die für die Halbleiterindustrie relevanten staatlichen Eingriffe in den einzelnen Ländern einander gegenübergestellt. Darüber hinaus werden die Interventionsintensität verglichen und die wettbewerbsverzerrenden Wirkungen evaluiert (Kapitel 4).

5

ln Kapitel 5 werden Vorschläge für den Abbau bzw. die Reduzierung von wettbewerbsverzerrenden Wirkungen erarbeitet und Empfehlungen für die Wirtschafts- und Technologiepolitik abgegeben. ln Teil B finden sich die Länderanalysen von Japan, Korea, Taiwan, den USA, der Europäischen Union, Deutschland, Großbritannien, Irland und Frankreich (Kapitel 6 bis 14).

2

Produktions- und Wettbewerbsbedingungen in der Halbleiterindustrie

2.1

Abqrenzungen und Produkte der Halbleiterindustrie

Die Kategorie der elektronischen Halbleiter umfaßt, gemäß der Klassifizierung des Statistischen Bundesamtes, zwei Produktgruppen, und zwar die diskreten Halbleiter, die jeweils aus einem Funktionselement bestehen, und die wesentlich komplexeren integrierten Schaltkreise ("lntegrated Circuits", ICs). Die Halbleiter gehören damit nebst den Elektronenröhren zur Gruppe der aktiven Bauelemente, die zusammen mit den passiven Bauelementen und den elektromechanischen Komponenten die übergeordnete Gruppe der elektronischen Bauelemente bilden (siehe Abbildung 2.1). Bei den elektronischen Halbleitern handelt es sich um Komponenten, die mittels Transistoren in der Lage sind, einen Stromfluß in elektrischen Schaltkreisen zu modifizieren und zu kontrollieren und damit Speicher- und Logikfunktionen in größeren Systemen zu realisieren. Die diskreten Halbleiter, bei denen die industrielle Entwicklung ursprünglich ihren Ausgang genommen hatte, sind mehr und mehr von den integrierten Schaltkreisen verdrängt worden, die inzwischen am Welthalbleitermarkt einen Anteil von über 80% erreicht haben. Der Erfolg der ICs beruht sowohl auf technologisch bedingten Vorteilen (weitergehende Möglichkeiten der Miniaturisierung, starke Reduktion der elektrischen Verbindungsstellen, höhere Arbeitsgeschwindigkeit, geringere Verlustleistung) als auch auf Wirtschaftlichkeitserwägungen (Senkung der Herstellungskosten, effizientere Leistung bei großen Systemen). Das Augenmerk dieser Untersuchung gilt deshalb in erster Linie dem Bereich der integrierten Schaltungen, die überwiegend in dem Prozeßverfahren der Silizium-PlanarTechnik auf einem monolithischen Halbleiterblock, dem Mikrochip, realisiert werden. Es gibt heute eine Vielzahl von integrierten Schaltkreisen, die sich nach der Art der Signalverarbeitung (analog und digital), dem Verwendungszweck, der produzierten Stückzahl, der Konstruktion, der Art der verwendeten Funktionselemente und dem Integrationsgrad unterscheiden.

7

Abbildung 2.1:

Kategorien der elektronischen Bauelemente Aktive Bauelemente: Elektronenröhren Halbleiter: - diskrete Halbleiter: Transistoren, Dioden, optoelektronische Bauelemente und andere - aktive integrierte Schaltkreise: -analog -digital Passive Bauelemente: Widerstände Kondensatoren lnduktivitäten Piezoelektrische Bauelemente und andere Elektromechanische Bauelemente: Schalter Unbestückte Leiterplatten Elektromagnetische Bauelemente Sicherungen Kontakt- und Verbindungselemente und andere BaugrU!;!!;!en für die Elektronik: Bestückte Leiterplatten Hybride integrierte Schaltungen Passive integrierte Schichtschaltungen und andere Quelle: ifo Institut für Wirtschaftsforschung, entsprechend der Klassifikation des Statistischen Bundesamtes (Produktionsstatistik). Üblicherweise wird die Gruppe der ICs in Speicher-Chips und Logik-Chips unterteilt. Bei den Speicher-Chips wiederum wird gemäß dem Kriterium der Löschbarkeit bzw. der Flüchtigkeit der gespeicherten Information in SchreibLese-Speicher und Vorwiegend-Lese-Speicher unterschieden (Sautter, Weinerth 1990; siehe Abbildung 2.2). Bei den Schreib-Lese-Speichern kann die Information beliebig oft ein- und ausgelesen werden. Sie dienen deshalb vor allem zum schnellen Datenaustausch. Zu den Schreib-Lese-Speichern zählen neben den SAMs (Serial Ac-

8

Abbildung 2.2: Klassifikation der Halbleiterprodukte Produkte

Klassifikation Diskrete Halbleiter

Transistoren Dioden Optoelektronische Bauelemente

Smart-Chips

Leistungsbauelemente Integrierte Schaltkreise

Analoge Signalverarbeitung Digitale Signalverarbeitung

Halbleiterlaser

SpeicherChips

Verstärker Schreib-LeseSpeicher

SAMs RAMs

Vorwiegend LeseSpeicher

PLAs ROMs PROM

- SRAMs - DRAMs

- EAROM - EPROM -FlashEPROM

LogicChips

Standard Logic Chips

TTL ECL

Mikroprozessoren Mikrocontroller

lnte180386 Motorola 68000

ASICs

PLD Gate Arrays

Quelle: ifo Institut für Wirtschaftsforschung.

cess Memories) vor allem die RAMs (Random Access Memory), die Speicher mit wahlfreiem Zugriff. Die RAMs haben aufgrund eines schnelleren Zugriffs die größere technische und wirtschaftliche Bedeutung. Bei den RAMs unterscheidet man zwischen den statischen und den dynamischen AAMs. Während die statischen AAMs (SAAMs) die eingeschriebene Information bei anliegender Betriebsspannung beliebig lange speichern, bleibt bei den dynamischen AAMs (DAAMs) die Information in der Speicherzelle nur eine begrenzte Zeit erhalten und muß periodisch aufgefrischt werden. Diesem 9

Nachteil stehen die Vorteile einer höheren Packungsdichte und niedrigerer Herstellungskosten gegenüber. Aus diesem Grunde haben sich die DRAMs für höchstintegrierte Schaltungen weitgehend durchsetzen können (Sautter, Weinerth 1990). Mit Anteilen am Welt-IC-Markt von 14 % für die DRAMs und 7 % für die SRAMs sind die Speicher mit wahlfreiem Zugriff die wichtigsten Massenprodukte bei den Speicher-Chips. Bei der zweiten Gruppe der Speicher-Chips, den Vorwiegend-Lese-Speichern, ist der Speicherinhalt beliebig oft lesbar, das Einschreiben ist jedoch nur begrenzt oft oder erheblich langsamer möglich. Die wichtigsten Untergruppen dieser Festwertspeicher sind die Nur-Lese-Speicher (ROMs, Read-Only-Memorys, SROMs, Static ROMS) und die programmierbaren logischen Felder (PLA, Programmable Logic Arrays). Um in der Lage zu sein, den Speicherinhalt von Vorwiegend-Lese-Speichern gegebenenfalls auch verändern zu können, wurden die reversiblen - mehrfach programmierbaren - ROMs entwickelt, die vom Anwender zum Teil mehrfach beschrieben werden können, wie zum Beispiel die PROMs {Programmable ROMs), die EAROMs {Eiectrically Alterable ROMs) und das Massenprodukt der EPROMs {Erasable Programmable ROMs). Es wird erwartet, daß sich die neuen Flash-EPROMs in den neunziger Jahren aufgrund größerer Speicherdichte und Schnelligkeit zunehmend durchsetzen werden. Im Vergleich zu den Speicher-Chips sind die Logik-Chips hinsichtlich ihrer Konstruktion und der realisierten Funktionen merklich komplexer. Es werden verschiedene Bauelemente (Transistoren, Dioden, Kondensatoren, Widerstände) auf einem einzigen Chip montiert und entsprechend dem zugrundeliegenden Schaltungsentwurf miteinander verknüpft. Zu den Logik-Chips zählen die Standard-Logik-Chips, die hauptsächlich in Großrechnern verwendet werden, die Mikroprozessoren und die Gruppe der ASICs (Application Specific lntegrated Circuits).

Mikroprozessoren, die ähnlich wie die DRAMs in hohen Stückzahlen produziert werden, führen Rechen- und Steuerungsfunktionen aus. Sie nehmen gut 20 % des IC-Marktes ein. Mikroprozessen werden vor allem bei Steuerungsprozessen. insbesondere als Zentraleinheit von Computern eingesetzt. Sind auf einem Chip außer dem Mikroprozessor auch Speicherfunktionen in Form eines RAM oder ROM installiert, spricht man auch von Mikrocontrollern. Neben gängigen Rechnerprozessoren gibt es spezifische Mikroprozessoren für 10

Anwendungen in der Konsumelektronik und in der Telekommunikation mit hohem Marktvolumen, zum Beispiel Switches, digitale Signalumwandler und Kompressionschips. Bei den ASICs handelt es sich um integrierte Schaltungen, die im Gegensatz zu den Standardschaltungen nach anwendungs- bzw. kundenspezifischen Merkmalen entworfen und hergestellt werden. Demnach bestimmt die vom Anwender bzw. vom Kunden erstellte Software die Funktion der Hardware des Chips. Die Spezifikation der IC-Anwendung kann entweder nur hardwarebezogen oder hardware- und softwarebezogen erfolgen. Da der Kunde bzw. Anwender mittels Programmierung auch auf Standard-Chips wie Mikroprozessoren, PROMs etc. Einfluß nehmen kann, ist die Abgrenzung der ASICs von der Gruppe der Standardschaltungen deshalb nicht ganz eindeutig. Eine allgemein anerkannte ASICs-Definition hat sich in der Branche aus diesem Grunde noch nicht durchsetzen können. Zwar bildet die Speichertechnologie eine gute Grundlage zur Beherrschung der ASIC-Fertigung, zusätzlich ist jedoch auch Kompetenz in anderen Ebenen erforderlich, wie zum Beispiel bei der Variation von Prozeßketten, der Erzielung von schnellen Durch Iaufzeiten, flexible automatisierte Fertigungssteuerung und der Beherrschung von Extrembedingungen (Hitze, Vibrationen, Spannungsspitzen). Gegenüber der Systemrealisierung mit Standardschaltungen weisen die ASICs eine Reihe von Vorteilen auf, wie zum Beispiel Verringerung von Platz, Gewicht und Verlustleistung, Erhöhung der Betriebsfrequenz, niedrigere Kosten, Sicherheit gegen Nachbau. Den ASICs, die derzeit gut 20 % des IC-Weltmarktes ausmachen, wird auch für die Zukunft ein hohes Marktpotential prognostiziert. Europäische Hersteller erwarten aufbauend auf Vorsprüngen im eigenen System-Know-how gute Marktchancen für ASICs aus europäischer Produktion in den neunziger Jahren (Arbeitsgruppe der Industrie des IT-Gesprächskreises "Mikroelektronik" 1993; Sautter, Weinerth 1993; Scholz 1993). Ein hohes Wachstumspotential besitzen die für höhere Stromstärken und/oder Stromspannungen ausgelegten Leistungsbauelemente (Smart-Power-ICs) . Sie zeichnen sich dadurch aus, daß sowohl ein Leistungsteil als auch ein informationsverarbeitender Teil auf dem Chip existiert. Da "Smart-Chips" in praktisch allen Anwendungsindustrien eingesetzt werden können, werden ihre Marktund Zukunftschancen in der Branche als sehr positiv eingeschätzt (Sautter, Weinerth 1993).

11

2.2

Innovationsdynamik und produktionsbezogene Wettbewerbsbedingungen

Innovationsdynamik Ein prägendes Charakteristikum der Halbleiterindustrie waren seit ihrem Beginn die fortgesetzten gewaltigen Leistungssteigerungen und das enorme lnnovationstempo. Am deutlichsten sichtbar ist diese Entwicklung an der rasanten Ausweitung der Kapazität der ICs. Diese werden durch die Erhöhung des Integrationsgrades, d.h. der Menge der auf einen Chip gepackten Funktionselemente realisiert. Zunehmende Integration ermöglicht eine Reduzierung von Gewicht und Abmessungen der Geräte, eine höhere Arbeitsgeschwindigkeit der ICs, eine höhere Zuverlässigkeit dank geringerer Zahl von Verbindungsstellen (Lötpunkten) auf den Leiterplatten und einen niedrigeren Energieverbrauch der Systeme (Honold 1993). Der Trend zu immer größerer Integration und Miniaturisierung ist in erster Linie aber nicht technisch, sondern wirtschaftlich bedingt. Entsprechend dem auf den bisherigen Erfahrungen beruhenden Kostengrundgesetz der Mikroelektronik sind die Kosten der Halbleiter im wesentlichen von der Chipfläche her bestimmt. Daraus ergibt sich die Forderung, auf einer gegebenen Fläche möglichst viele Funktionselemente, insbesondere Transistoren, unterzubringen (Sautter, Weinerth 1990}. Technologische Fortschritte in der Integration lassen sich vor allem durch eine schaltungstechnische Vereinfachung der Chips und die Realisierung feinerer Strukturen auf dem erstellten Silizium-Halbleiterblock erzielen. Die Darstellung kleinster Strukturbreiten ist am leichtesten auf der Grundlage regulärer Speicherstrukturen möglich, wie es vor allem das Volumenprodukt der DRAMs aufweist. Die fortgeschrittensten technologischen Verfahren und die Vorstöße in neue Bereiche der Integration und Miniaturisierung erfolgten deshalb bisher stets im DRAM-Bereich, der "Speerspitze" der Halbleitertechnologieentwicklung. Die bei den DRAMs erreichten Integrationsstufen wurden bei den Mikroprozessoren in der Regel jeweils mit einem Zeitabstand von einem Jahr, bei den ASICs erst nach drei Jahren realisiert (siehe Abbildung 2.3). Die bisherige Generationenfolge der Speicherchips gibt ein anschauliches Bild des bisherigen Innovationstempos und der erzielten Leistungssteigerungen in der Halbleiterindustrie. Mit jeder Entwicklung einer neuen DRAM-Speichergeneration, die nach bisheriger Erfahrung alle 3,3 Jahre erfolgt, vervierfacht sich

12

(o)

: : : : : . . .. . .

..... .....

• •: : -• •

...............

80

.

.

I

02

I

84

I

IOM 1992

I

.....

..... oo..n Chipfertigung gebaut werden (Smart fab). ln den nächsten 10 Jahren werden im Hochleistungs- und Innovationszentrum Dresden FuE-Projekte in einem Umfang von rund 600 Mill. DM bearbeitet werden. Die Siemens AG geht davon aus, daß im Rahmen der üblichen Projektförderung die Hälfte der Projektkosten vom BMFT getragen wird. Unter der Annahme, daß das BMFT die geschätzten

1

Baubeginn: 2. Quartal 1994; Betriebsbeginn: 1996.

247

FuE-Projektkosten (600 Mi II. DM) über einen Zeitraum von 10 Jahren zur Hälfte trägt, ergibt sich eine zusätzlich laufende Subvention von rund 30 Mill. DM jährlich.

11.5 Marktzugangsbeschränkungen Handelspolitische Maßnahmen, wie etwa Zölle auf Halbleiterprodukte oder Vorschriften über lokale Fertigungsanteile bei "Transplants" werden im europäischen Rahmen geregelt. Ebenfalls auf der Ebene der Europäischen Union wurden Referenzpreise gegen das Preisdumping japanischer und koreanischer Halbleiterhersteller festgelegt. Eine strategische Beschaffungspolitik seitens deutscher Unternehmen zur Stärkung der deutschen Halbleiterindustrie mit der Zielsetzung, deutsches Systemwissen nicht an ausländische Halbleiterhersteller weiterzugeben, konnte aufgrundder geführten Gespräche nicht festgestellt werden. Dies gilt sicher für den Bereich von Standard-Bauelementen. Allerdings ergeben sich für einen ASIC-Anwender immer dann Beschaffungsprobleme, wenn der Chip-Lieferant auch Wettbewerber auf dem eigenen Systemmarkt ist. Dies bedeutet aber keineswegs immer eine Beschaffung im Inland, da auch deutsche Chiphersteller Systemkonkurrenten sein können. ln diesen Fällen zieht der ASICKunde gegebenenfalls die Beschaffung der Bauelemente im Ausland vor. Im Rahmen der staatlichen Beschaffungspolitik besteht aufgrund einer EGRegelung die Möglichkeit, Angebote zurückzuweisen, falls im Produkt der "EG-Anteil" unter 50 % liegt (US International Trade Commission 1993).

11.6 Sonstige Maßnahmen Sonstige staatliche Maßnahmen zugunsten der Halbleiterindustrie konnten nicht festgestellt werden.

248

11.7 Einschätzungen Die FuE-Förderung der Mikroelektronik wird häufig sehr kritisch beurteilt, wie z.B.: "Die staatliche Förderung der Mikroelektronik war ein ... Reinfall" (Engels 1993) oder "Keines der großen 'Fiagschiffe' von Jessi ist in Fahrt gekommen. Im Gegenteil, die Flotte ist schon fast untergegangen" (Kurz 1994). Grundsätzlich muß vorausgeschickt werden, daß die FuE-Halbleiter-Förderung die tatsächlichen FuE-Aufwendungen der Unternehmen nur zu einem Bruchteil abdeckt. Die Unternehmen wiesen außerdem daraufhin, daß die staatliche FuE-Förderung nur einer von zahlreichen wettbewerbsrelevanten Faktoren ist. ln diesem Zusammenhang wurden von den Gesprächspartnern folgende externe Wettbewerbsfaktoren als sehr bedeutsam eingestuft: flexible Arbeitszeiten, sichere Belieferung mit Materialien und Maschinen, Unternehmensbesteuerung, hochqualifizierte Arbeitskräfte, Umfang der deutschen/europäischen Anwendermärkte, Umweltschutzauflagen und Arbeitskosten. Negativ für den Halbleiter-Standort Deutschland wirken sich nach Angaben der Unternehmen die im Vergleich zu den Konkurrenzländern höheren Unternehmenssteuern sowie höheren Energie- und Arbeitskosten aus. Die für die Halbleiterherstellung dringend erforderliche 7-Tage-Woche konnte erst nach langwierigen Verhandlungen realisiert werden. Obwohl die staatliche FuE-Förderung im Bereich Halbleiter nur einer von zahlreichen Wettbewerbsfaktoren ist, werden von den Unternehmen staatliche Fördermaßnahmen als wichtig angesehen. Dies ist vor allem vor dem Hintergrund zu sehen, daß nach Auffassung der Unternehmen in den anderen Ländern eine umfangreichere und zudem unkonventionellere FuE-Förderung stattfindet, die allerdings als solche in ihrer Auswirkung nicht mehr zu erkennen ist. Als zusätzliche flankierende Maßnahmen wurden insbesondere Steuer- und Abschreibungsvergünstigungen für High-Tech-Unternehmen gefordert.

249

Im allgemeinen wird bemängelt, daß zum einen zu viele Projekte gefördert werden (Gießkannenprinzip) und somit die Wirkung der FuE-Förderung nur marginal ist. Zum anderen wird der FuE-Förderung vorgeworfen, wenig flexibel zu sein. Einige Unternehmensvertreter gaben an, daß unter Umständen aus organisatorischen Gründen ein im Laufe der FuE-Arbeiten als nicht erfolgversprechend erkanntes Projekt weiterbearbeitet werden müßte. Gefordert werden vom Staat initiierte Rahmenbedingungen (z.B. Normen, Standards für die Anwenderindustrien) . Solche Vorschriften würden das Risiko der Forschungsausrichtung für die Unternehmen reduzieren und zugleich den Vorteil aufweisen, kaum Kosten zu verursachen. Darüber hinaus müßte die staatliche FuE-Förderung in die Wirtschaftspolitik integriert werden. Von einigen Gesprächspartnern wurde angeregt, daß spezielle Ausbildungsprogramme für die Bereiche Software und Design angelegt werden müßten. ln der Kritik steht auch die Forschungsinfrastruktur. Die Ausrichtung der wissenschaftlichen Infrastruktur im Hinblick auf die Erfordernisse der Industrie weist Mängel auf. Im Vordergrund der Institutsforschung stehen häufig Wissenschaft und Lehre, weniger die Orientierung an den Bedingungen des Marktes. Im Zusammenhang mit der Förderung von Neuansiedlung (in den neuen Bundesländern) wurde von den befragten Unternehmen beklagt, daß Erweiterungsinvestitionen an den jeweiligen Standorten (in den alten Bundesländern) nicht gefördert werden, wodurch sich gegenüber Unternehmen mit Neuinvestitionen erhebliche Wettbewerbsverzerrungen ergeben.

12

12.1

GROSSBRITANNIEN

Die britische Halbleiterindustrie

Im Zentrum der britischen Halbleiterpolitik steht die Ansiedlung ausländischer Halbleiterunternehmen in Großbritannien. Es gelang der britischen Regierung, Großbritannien zu dem bedeutendsten Anbieter von Halbleitern in Europa zu machen. Im Jahre 1992 wurden 42 % der europäischen Halbleiter in Großbritannien und davon wiederum jeweils die Hälfte in Schottland und England bzw. Wales gefertigt. Der Silicon Gien in Schottland bildet die mit Halbleiterunternehmen am dichtesten besiedelte Region Europas. Aus Tabelle 12.1 wird ersichtlich, welche Unternehmen Produktionsstätten errichtet haben. Es dominieren amerikanische Unternehmen, aber auch japanische und kontinentaleuropäische Unternehmen sind vertreten.

12.2 Wirtschaftspolitische Philosophie Die britische Wirtschaftspolitik ist von der Überzeugung geprägt, daß der industriellen Entwicklung des Landes am besten durch eine Politik der Privatisierung, der Deregulierung und des Subventionsabbaus gedient werde und daß auf staatliche Eingriffe weitgehend verzichtet werden sollte. Der Markt soll entscheiden, welche Unternehmen im Wettbewerb bestehen können und welche nicht. Eine vertikale, auf die Halbleiterindustrie ausgerichtete Förderung wird nicht verfolgt. Großbritannien versucht, durch angebotsorientierte Strukturreformen günstige Wettbewerbs- und Standortbedingungen zu schaffen. Direkte Eingriffe in den Marktprozeß erfolgen nicht. Lediglich einige Querschnittsaufgaben werden vom Staat übernommen, .wie die FuE-Förderung, die Aus- und Weiterbildung von Arbeitskräften, die Förderung von kleinen und mittleren Unternehmen, die Beratung von Unternehmen sowie die Förderung zurückgebliebener Regionen (OECD 1992).

251

~

DRAMs, Mikroprozessoren lntegrated power circuits

900 560 300

1985 1987 1987

1983

Glenrothes

South Queensferry

Livingston

Newton Aycliffe

Milton Keynes (Buckinghamshire)

Hughes Microelectronics Ltd.

Digital Equipment Scotland Ltd.

Seagate Microelectronics Ltd.

Fuji Microelectronics Ltd.

Allen Bradley lnt.Ltd.

England

Verschiedene Halbleiterprodukte Mikroprozessoren und -Controller 400

ASICs

423

( W a I es)

ASICs

200

1982

Livingston

Burr Brown Ltd.

...

1 +4MB DRAMs, Mikroprozessoren, ASICs

830

1981

Livingston

NEC Semiconductors (UK) Ltd.

DRAMs, Mikroprozessoren

1.500

1969

Greeneck

DRAMs, Mikroprozessoren und -Controller

Produkte

National Semiconductors Ltd.

Beschäftigte

2.000

Schottland

Investitionen Mill. DM

1969

Gründungsjahr

East Kilbride

Produktionsstätte

Die Halbleiterindustrie Großbritanniens 1

Motorola Ltd.

Name des Unternehmens

Tabelle 12. 1:

MG: Rockweil

Investitionen von 175 Miii.C seit 1981

Investitionen von 330 MilU: seit 1969

Anmerkungen

~

N

Chippenham

Oldham

Westcode Semiconductors Ltd.

Zetex

Nur Produktionsbetriebe mit mehr als 200 Beschäftigten.

Kleinsignaltransistoren 400

I

Quelle: Japan ExternalTrade Organization (JETRO), The 9th Survey of European Operations of Japanese Companies in the Manutacturing Sector, October 1993; Locate in Scotland, North American Companies Manufacturing in Scotland and Overseas and European Companies Manutactu.ring in Scotland 1990/91 ; Locate in Scotland, Review 1993, Glasgow 1993; lnvest in Britain Bureau, Electronic Component Manutacturing in the UK, Semiconductors 1991.

1

MG: Hawker Siddeley Diskrete Halbleiter 408

1.100

MG: Texas lnstruments

MG: STC Components : Verschiedene Halb· Ieiterprodukte

ASICs

Bedford

300

Texas Instruments

...

Sidcup (Kent)

STC Components

...

MG: Philips Diskrete Halbleiter

650

Hazel Grove, Stockport

Philips Components UK Lid.

Lucas Automotive Electronics

MG: Lucas lndustries

Sidcup (Kent)

LSI Logic ASICs

Newport (Wales)

lnmos Ltd.

900

MG: GEC

Anmerkungen

Birmingham

Analoge Halbleiter

MOS Logic, ASICs

Produkte

MG:LSI Logic

1.100

2.000

Beschäftigte

Mikroprozessoren, ASICs

...

...

...

Investitionen Mill. DM

800

... ... ...

Gründungsjahr

MG: SGS Thomson

Lincon

Plymouth

Swindon

Chadderton, Oldham

Produktionsstätte

Speicherchips, Mikroprozessoren

GEC Plessey Semi· conductors Lid.

Name des Unternehmens

Fortsetzung Tabelle 12.1 :

12.3

Förderung von Forschung und Entwicklung

Obwohl die seit 1979 regierenden Konservativen sich einem marktwirtschaftliehen Leitbild verpflichtet fühlen, verfolgte die britische Regierung bis in die zweite Hälfte der achtziger Jahre eine eher sektorale, auf die Halbleiterindustrie abstellende Forschungs- und lndustriepolitik. Zwei Programme aus der Zeit der Labour Regierung wurden verlängert: Das 'Microelectronics Support Programme' (MIS}, das FuE und Investitionen in der Halbleiterindustrie subventionierte, und das 'Microprocessor Application Programme' (MAP), welches den Einsatz von Halbleitern in nachgelagerten Industriezweigen fördern sollte. Darüber hinaus wurde 1983 das Alvey Programme zur Förderung von FuE im Bereich fortgeschrittener lnformationstechnologien ins Leben gerufen (Howell, Bartlett, Davis 1992}. Im Jahre 1988 wandelte sich - auch angesichts der geringen Erfolge - die wirtschaftspolitische Strategie. Die Programme MIS, MAP und Alvey wurden beendet. Die Förderung von FuE ging von ihrer sektoralen Ausrichtung ab, wohl auch, weil die nationale Halbleiterindustrie in Auflösung begritten war. (Gegen Ende der achtziger Jahre wurde ICL an Fujitsu, lnmos an SGS-Thomson und Plessey {einschließlich Ferranti} an GEC und Siemens verkauft; vgl. Hart 1992). Die FuE-Förderung ist seitdem auf die vorwettbewerbliehe gemeinschaftliche (Industrie/Forschungsinstitute) Forschung gerichtet. Etwa dreißig verschiedene Technologiebereiche werden im Rahmen des Link-Programms gefördert. Seit 1988 sind hierfür - jeweils zur Hälfte vom Staat und von der Industrie- 920 Miii.DM (370 Mill. ~ x 2,483 DM) aufgebracht worden. Im Rahmen der 'Advanced Technology Programmes' werden siebzehn Technologiebereiche mit insgesamt 460 Miii.DM seit 1988 gefördert. Darüber hinaus findet eine FuE-Förderung im Rahmen der Förderung der Klein- und Mittelindustrie und des SPUR-Programms statt. Innerhalb der genannten Programme entfällt nur ein - relativ kleiner - Teil der Fördermittel auf die Halbleiterindustrie (OECD 1992}. Neben den nationalen Programmen kann die Halbleiterindustrie in Großbritannien an den europäischen Programmen teilhaben. Hier ist zum einen das JESSI-Programm (als Teil von EUREKA) zu nennen, das vorwiegend der Halbleiterindustrie zugute kommt. ln Großbritannien beliefen sich die Projektkosten insgesamt im Jahre 1992 auf 34 Mill. DM (17 Mill. ECU x 2,02 DM). Da britische Regierung und Industrie sich diese Projektkosten zur Hälfte teilen, kann254

te die Halbleiterindustrie in Großbritannien Finanzmittel in Höhe von gut 17 Mill. DM in Anspruch nehmen. Hinzu kommt die Teilhabe am ESPRIT-Programm, das sich zu knapp 25 % der Mikroelektronikförderung widmet. Die Fördermittel der EU für die Mikroelektronik beliefen sich nach Angaben der Forschungsanstalt für deutsche Luft- und Raumfahrt 1991/92 auf 235 Mill. ECU, d.h. auf 117,5 Mill. ECU pro Jahr. Hiervon entfielen auf Großbritannien 10,4 %, das sind 12,2 Mi II. ECU bzw. 24,7 Miii.DM. Hierin sind die JESSI-Mittel der EU enthalten. Neben der Inanspruchnahme von FuE-Programmen können in Großbritannien die investiven FuE-Aufwendungen voll vom zu besteuernden Einkommen des Unternehmens im jeweiligen Steuerjahr abgezogen werden. Insgesamt gesehen kann festgestellt werden, daß - im Vergleich zur Ansiedlungspolitik -der staatlichen FuE-Politik im Bereich der Halbleiterindustrie in Großbritannien ein geringer Stellenwert zukommt, zumal seit 1993 nur noch Unternehmen mit weniger als 250 Beschäftigten in die Förderung einbezogen werden dürfen.

12.4 Förderung von Investition und Produktion Für die Ansiedlung von ausländischen Unternehmen steht der britischen Regierung vor allem ihr regionalpolitisches Instrumentarium zur Verfügung. Ausländische (und ebenso inländische) Investoren können verschiedene Programme in Anspruch nehmen, sofern sie als Standort ausgewiesene Regionen wählen (vgl. die Broschüren des 'lnvest in Britain Bureau' und von 'Locate in Scotland'). Zum einen können sie in den Genuß der 'Regional Selective Assistance' (RSA) kommen, die in Entwicklungsregionen (development areas) und in intermediären Regionen (intermediate areas) gewährt wird (vgl. Abbildung 12.1). Entwicklungsregionen sind Gebiete mit hoher struktureller Arbeitslosigkeit. Gefördert werden lnvestitionsvorhaben, die folgende Kriterien erfüllen: Der Wirtschaft Großbritanniens und der lokalen Wirtschaft muß ein volkswirtschaftlicher Nutzen entstehen, die Beschäftigung muß erhöht werden, das Projekt muß durchführbar und erfolgversprechend sein, und die staatliche Unterstützung muß erforderlich sein, um das Unternehmen zur Niederlassung in Großbritannien zu veranlassen.

255

Abbildung 12.1:

Die RSA-Förderregionen in Großbritannien

RSA - Förderregionen •

Nordirland

~ Entwicklungsregionen ~

18888)!

256

Intermediäre Regionen

-

England f/j

Im Rahmen der RSA werden in Entwicklungsregionen zu versteuernde Investitionszuschüsse in Höhe von 15 bis 30 % der Sachkapitalinvestitionen (Grunderwerb, Gebäude, Anlagen und Maschinen) gewährt. Auch Erweiterungsinvestitionen, nicht dagegen Reinvestitionen, werden gefördert. Der Umfang der finanziellen Unterstützung ergibt sich aus individuellen Verhandlungen und hängt von der Art des Projektes ab (Zahl der Arbeitsplätze, Marktanteil und technologische Kompetenz des Unternehmens, Konkurrenzsituation gegenüber anderen Standorten, usw.). Die Höhe der Unterstützung darf, entsprechend Artikel 92 Absatz 3 Buchstabe C des EWG-Vertrages, 30 % der Betriebskapitalkosten nicht überschreiten (Kommission der Europäischen Gemeinschaft 1991 ). Außerdem legt Großbritannien einen arbeitsplatzbezogenen Grenzwert (lnvestitionszuschüsse pro geschaffenem Arbeitsplatz) fest. Die Höhe des arbeitsplatzbezogenen Grenzwertes wird von den staatlichen lnvestitionsfördergesellschaften nicht bekanntgegeben. Angesichts der hohen Sachkapitalintensität der Halbleiterindustrie bildet dieser Grenzwert die eigentliche Obergrenze für die Gewährung von lnvestitionszuschüssen. Es handelt sich hierbei aber nicht um eine starre, sondern um eine je nach Projekt variierende Obergrenze. ln den sogenannten intermediären Regionen liegt die Obergrenze für Investitionszuschüsse bei 15 % der Sachkapitalinvestitionen sowie einem niedrigeren arbeitsplatzbezogenen Grenzwert. Neben der RSA gewährt die britische Regierung solchen Unternehmen Vergünstigungen, die sich in Enterprise Zones ansiedeln. Enterprise Zones werden für eine Dauer von zehn Jahren eingerichtet. Es handelt sich um kleine Regionen mit hoher, aus der Abhängigkeit von traditionellen Industrien resultierender Arbeitslosigkeit. ln Schottland, auf das sich die Angaben im folgenden beschränken sollen, gibt es im Frühjahr 1994 zwei Enterprise Zones: lnverclyde (Schiffbauzentrum) und Lanarkshire (Stahlerzeugung) (vgl. Abbildung 12.2) . Die Vergünstigungen in einer Enterprise Zone beinhalten eine 100 %ige Steuerabschreibung für neue kommerzielle und industrielle Gebäude im ersten Jahr (normalerweise erfolgt die Abschreibung über eine Dauer von 25 Jahren) sowie die Befreiung von der lokalen Grundsteuer (normalerweise 10 ~ pro ~2) für den Zeitraum, den die Enterprise Zone noch bestehen wird. Da die Enterprise Zones in Schottland in den Entwicklungsregionen liegen, kumulieren sich die Vergünstigungen grundsätzlich. Allerdings darf der Anteil der finanziellen Unterstützung an den Kapitalkosten-insgesamt gesehen -die bei der 17 Hilpert u. a.

257

Abbildung 12.2:

Förderreglonen ln Schottland

Enterprlse Zonea lnverclyde Lanarkshire

258

RSA-Förderung genannten 30 % nicht überschreiten, während der arbeitsplatzbezogene RSA-Grenzwert übertroffen werden kann. in praxi ist diese Regelung im Bereich der Halbleiterindustrie noch nicht zum Tragen gekommen, da sich Unternehmen dieser Branche noch nicht in den Enterprise Zones Schottlands angesiedelt haben. Eine weitere Vergünstigung können die Darlehen der Europäischen Gemeinschaft für Kohle und Stahl bilden (EGKS). Bei entsprechender Kreditsicherung bietet die Gemeinschaft günstige Kredite von bis zu 50 % des Anlagevermögens des Projekts. Je nach Anzahl der geschaffenen Arbeitsplätze sind jährliche Zinsnachlässe von 3% über fünf Jahre hinweg möglich. Diese stehen Unternehmen zur Verfügung, die in den ehemaligen Kohle- und Stahlregionen neue Arbeitsplätze einrichten. Dies sind die Regionen Strathclyde, Lothian und Fife (vgl. Abbildung 12.2). Sie überschneiden sich teilweise mit den Entwicklungsregionen (und den Enterprise Zones). Die Kumulierung mit den RSA-Vergünstigungen wird dadurch begrenzt, daß die Höchstwerte der finanziellen Vergünstigung pro Sachkapitalinvestition bzw. pro geschaffenem Arbeitsplatz nicht überschritten werden dürfen. Schließlich werden ausländischen Investoren auch Mittel für die Fortbildung der Mitarbeiter in neuen Techniken und die Ausbildung von Personal, das arbeitslos war, angeboten. Die Unterstützung umfaßt normalerweise bis zu 50% der Ausbildungskosten, maximal jedoch knapp 10.000 DM (4.000 r x 2,483 DM) pro teilnehmenden Angestellten. Über die genannten Vergünstigungen hinaus werden keine weiteren Anreize, wie Steuererleichterungen, günstige Abschreibungsbedingungen, usw., gewährt. Das Ausmaß der staatlichen Subventionierung bei der Ansiedlung von Halbleiterwerken soll anhand folgenden Beispiels dargelegt werden: Kapitalinvestition davon Anlagen und Maschinen Gebäude Arbeitsplätze Unterstützung auf regionaler Basis (RSA) 17*

700 Mill. DM 560 Mill. DM 140 Mill. DM 1.200 120 Mill. DM

259

der lnvestitionszuschuß von 30 % auf das Anlagevermögen kann nicht voll in Anspruch genommen werden, sondern nur in Höhe des arbeitsplatzbezogenen Grenzwertes (Annahme: 100.000 DM pro Arbeitsplatz) Darlehen der EGKS kann nicht in Anspruch genommen werden, da sonst der arbeitsplatzbezogene Grenzwert überschritten würde (Enterprise Zone) - Steuereinsparung im Vergleich zur normalen Abschreibung von 25 Jahren, bei einer Steuerrate von 33 % - Grundsteuereinsparung Gebäude von 60.000 m2 in Enterprise Zone, die noch acht Jahre bestehen wird (60.000 m 2 X 10 E X 2,483 DM X 8 Jahre)

(25 Mill. DM) (12 Mill. DM)

Inanspruchnahme grundsätzlich möglich, aber kein Halbleiterunternehmen hat sich in Schottland hier angesiedelt Ausbildungsunterstützung (1.200 Arbeitsplätze x 2.000 Ex 2,483 DM)

6 Mill. DM

Unter den getroffenen Annahmen beläuft sich die staatliche Unterstützung für das obige Halbleiterwerk auf 120 Mill. DM, die aber noch zu versteuern sind. Das sind 17 % des Anlagevermögens.

12.5 Marktzugangsbeschränkungen Die britische Regierung beschränkt den Zugang zum heimischen Markt für im Ausland hergestellte Halbleitererzeugnisse nicht. Demgegenüber sind die von der EU erlassenen Marktzugangsbeschränkungen für Großbritannien durchaus relevant.

260

12.6 Sonstige Maßnahmen ln Großbritannien werden keine sonstigen Maßnahmen gegenüber der Halbleiterindustrie durchgeführt.

12.7

Einschätzungen

Aus der Sicht der Halbleiterindustrie Schottlands (Motorola, East Kilbride; Digital, South Queensferry) bilden die staatlichen Investitionszuschüsse einen wichtigen Anreiz, in Schottland zu investieren. Als mindestens ebenso bedeutend werden aber die englische Sprache und der ungehinderte Zugang zum europäischen Markt genannt. Wichtige Standortfaktoren bilden darüber hinaus die hervorragenden Universitäten mit ihren Aus- und Weiterbildungs- sowie Forschungseinrichtungen, das große Angebot an qualifizierten Fachkräften, die relativ niedrigen Lohn- und Betriebskosten, die flexible betriebliche Arbeitszeitgestaltung, die den Anforderungen der Halbleiterindustrie entsprechende Infrastrukturausstattung und das Vorhandensein weiterer Halbleiterund Zulieferunternehmen.

13

IRLAND

13.1 Die irische Halbleiterindustrie Seit Anfang der sechzig er Jahre verfolgt Irland eine exportorientierte Industrialisierung. Ein wichtiges Element dieser Strategie bildet die Ansiedlung ausländischer Unternehmen, die von Irland aus den Weltmarkt beliefern. Es gelang Irland, insbesondere amerikanische, aber auch japanische Unternehmen anzusiedeln. Zu den Investoren zählen so bekannte Unternehmen wie Harris, Analog Devices, General Instrument und Intel sowie NEC und Fujitsu. Ihre Produktionsstätten befinden sich an der Ostküste (Dublin und Umgebung, Norden) sowie an der Westküste (in der Nähe des Shannon Airport und in Macroom). Insgesamt gesehen fertigen sie eine breite Produktpalette (vgl. Tabelle 13.1). Eine nationale Industrie zur Herstellung von Halbleitern ist in Irland nicht entstanden.

13.2 Wirtschaftspolitische Philosophie Grundlage der Wirtschaftspolitik Irlands ist eine eindeutig marktwirtschaftliche Ausrichtung. Zur Beeinflussung der wirtschaftlichen Entwicklung bedient sich die irische Regierung indirekter Maßnahmen. Bis Anfang der sechziger Jahre verfolgte Irland eine binnenmarktorientierte lndustrialisierungsstrategie. Die verarbeitende Industrie wurde gegenüber der Konkurrenz von außen geschützt. Seitdem vollzog sich - wie gesagt - ein Wechsel in der Strategie hin zu einer exportorientierten Industrialisierung. Diese ist auf die Ansiedlung ausländischer Unternehmen gerichtet, die Irland als Exportbasis betrachten. ln jüngster Zeit ist die auf die Ansiedlung ausländischer Unternehmen fixierte Wirtschaftspolitik in die Kritik geraten. Es wird gefordert, in Zukunft in stärkerem Maße die heimische Industrie zu fördern (lndustrial Policy Review Group 1992).

262

~

(,.)

Assembly und Test von DRAMs, SRAMs, Mikroprozessoren, ASICs

VLSICs

350

1976

Balliwor (Meath)

NEC Semiconductors Ireland Ltd.

1

Wechselkurs: 1 Ir € Wechselkurs: 1 Ir €

= 2,665 DM. = 2,423 DM.

Quelle: IDA; ifo Institut für Wirtschaftsforschung.

'- 2

1989 1993 (Erweiterung)

600 625

1331 1.0902

Leixlip (Co. Kildare)

Intel Ireland Ltd.

Transistoren Mikroprozessoren, Pentium

Alle Produktionsstufen

nur Assembly, ab 1986 zusatzlieh Waferproduktion

1982

Macroom (Cork)

General Instrument

Halbleiter für Iranssienten Überspannungsschutz

200

1980

Dublin

Fujitsu Microelectronies Ireland Ud. 380

Assembly und Test

1 und 4 MB DRAMs

90

1977

...

Design und Produktion für US-Raumfahrt

CMOS ICs Dioden

800

1976

Limerick

Ennis (Shannon Airport)

Analog Devices

MICROSEMI

...

für transienten ÜberSpannungsschutz

Keramische Varistoren

Anmerkungen

Produkte

Beschaftigte 300

Investitionen Mill. DM

1976

Gründungsjahr

Dundalk

Produktionsstatte

Die Halbleiterindustrie Irlands

Harris ECCO

Name des Unternehmens

Tabelle 13.1 :

13.3

Förderung von Forschung und Entwicklung

Private FuE-Aktivitäten werden - unabhängig davon, ob sie in ausländischen oder inländischen Unternehmen stattfinden - dadurch gefördert, daß der Staat 50 % der Aufwendungen finanziert. Außerdem unterliegen Lizenzgebühren, die aus der Weitergabe von patentiertem, in Irland gewonnenem Wissen resultieren, nicht der Besteuerung. Daneben steht privaten Unternehmen der Halbleiterindustrie für eine Forschungs- und Entwicklungskooperation das National Microelectronics Research Centre in Cork mit 200 Mitarbeitern zur Verfügung, die aber auch Ausbildungs- und Beratungsfunktionen wahrnehmen und in der Chipherstellung tätig sind. Diese Kooperationsmöglichkeiten wurden von General Instrument und Analog Devices genutzt.

13.4

Förderung von Investition und Produktion

Die staatliche Förderung der Halbleiterindustrie konzentriert sich eindeutig auf die Ansiedlung ausländischer Unternehmen in Irland. Träger der Ansiedlungspolitik ist die lndustrial Development Authority (IDA), die seit dem 1. Januar 1994 ausschließlich für ausländische Unternehmen zuständig ist. Zu den Aufgaben der IDA gehört die Öffentlichkeitsarbeit, die Ausgestaltung und Durchführung der Ansiedlungspolitik, die Errichtung von industrial estates usw. FORBAIRT, die frühere EOLAS (The lrish Science and Technology Agency) ist seit diesem Jahr nur noch für die wirtschaftliche und technologische Beratung der einheimischen Wirtschaft zuständig und deshalb für die ausländische Halbleiterindustrie nicht mehr relevant. Irland fördert die Ansiedlung ausländischer Halbleiterunternehmen im Rahmen seiner allgemeinen lndustrieansiedlungspolitik. Spezielle Anreize für die Halbleiterindustriewerden nicht gewährt. Das wichtigste Instrument bildet der niedrige Körperschaftsteuersatz. Bis zum Jahr 2010 beträgt letzterer für Unternehmen der verarbeitenden Industrie 10 % (zu Einzelheiten vgl. lndustrial Development Authority Ireland 1993). Einen ähnlich günstigen Körperschaftsteuersatz gewähren andere Länder nicht. Die steuerlichen Abschreibungsraten betragen: für Anlagen und Maschinen jeweils 15 % während der ersten sechs Jahre und 10 % im siebten Jahr, und

264

-

für Gebäude 4 % pro Jahr.

Da Halbleiterunternehmen (wie auch andere Unternehmen) in der Anfangsphase häufig keine Gewinne erzielen und abschreibungsbedingte Steuerersparnisse entfallen, bietet die irische Steuergesetzgebung ein steuerbegünstigtes Leasingverfahren an. Dieses sieht vor, daß Leasinggesellschaften (d.h. in der Regel Finanzinstitute) die Anlagen und Maschinen, die ein Halbleiterwerk benötigt, kauft und an das Halbleiterunternehmen verleast Die Leasinggesellschaft erhält die staatlichen Kapitalsubventionen (siehe unten) und kann steuerliche Abschreibungen von dem nicht subventionierten Teil der Anschaffungskosten vornehmen. Die daraus resultierende Steuerersparnis beträgt 40% (normaler Körperschaftsteuersatz) der Abschreibungen. Kapitalsubventionen und Steuerersparnis werden über eine niedrige Leasingrate an das Halbleiterunternehmen weitergegeben. Neben steuerlichen Vorteilen gewährt Irland im Rahmen seiner lndustrieansiedlungspolitik steuerfreie lnvestitionszulagen, und zwar für die mit dem Kauf von Grundstücken, der Errichtung von Gebäuden und der Anschaffung von Anlagen und Maschinen verbundenen lnvestitionskosten. Die Höhe der Investitionszulage wird nicht durch schematisch anzuwendende Kriterien bestimmt. Sie hängt vielmehr von dem einzelnen Investor, seinem Zugang zum Weltmarkt, seiner technologischen Kompetenz, seiner Finanzstärke, usw. ab. Darüber hinaus variiert sie je nach Art des Investitionsvorhabens und seiner mutmaßlichen Effekte für die irische Volkswirtschaft. Die Höhe der Investitionszulage wird nach oben hin begrenzt durch einen Höchstbetrag der pro neu geschaffenem Arbeitsplatz gewährten lnvestitionszulage. Dieser Höchstbetrag lag 1993 in der verarbeitenden Industrie bei DM 31.500 bis DM 33.900 (13 bis 14.000 Ir. ~ x 2,423) pro Arbeitsplatz, in der kapitalintensiven Halbleiterindustrie aber beträchtlich höher. Zusätzlich zu den sachkapitalbezogenen Investitionszulagen gewährt Irland zu versteuernde Ausbildungszuschüsse. ln der Halbleiterindustrie belaufen sich diese auf DM 4.850 pro neuem Arbeitsplatz. Die EU beteiligt sich zu 15 % an den hiermit verbundenen Aufwendungen. Das Ausmaß der Subventionsgewährung soll am Beispiel der Wafer-Anlage von Intel in Leixlip, Co. Kildare, dargelegt werden. Wie die Aufstellung in Tabelle 13.2 zeigt, erhielt Intel von der IDA eine Investitionszulage in Höhe von 265

162 Miii.DM. Zusätzlich wurden an das Unternehmen im Rahmen des steuerbegünstigten Leasingverfahrens 70 Miii.DM staatliche Subventionen vom Leasinggeber weitergeleitet. Die gesamten sachkapitalbezogenen Subventionen beliefen sich auf 232 Miii.DM, das sind gut 21 %der lnvestitionssumme. Legt man die Gesamtzahl von Beschäftigten im Intel-Komplex in Höhe von 2.300 Personen zugrunde, so wurde jeder Arbeitsplatz mit DM 100.900 subventioniert. Bezogen auf die direkt im Waferwerk Beschäftigten war der Subventionsgrad weitaus höher. Über die sachkapitalbezogenen Subventionen hinaus erhielt Intel Ausbildungszuschüsse, die sich auf 11 Miii.DM belaufen haben könnten.

13.5 Marktzugangsbeschränkungen Eine Begrenzung des Zugangs zum irischen Markt für im Ausland hergestellte Halbleitererzeugnisse erfolgt nicht.

13.6 Sonstige Maßnahmen ln Irland werden keine sonstigen Maßnahmen gegenüber der Halbleiterindustrie durchgeführt.

13.7 Einschätzungen Aus der Sicht der Halbleiterindustrie Irlands (Analog Devices, Limmerick; General Instruments, Macroom; Intel, Leixlip) kommt innerhalb der staatlichen Fördermaßnahmen dem niedrigen Körperschaftsteuersatz die größte Bedeutung für die Standortentscheidung zugunsten Irlands zu. Kein anderes Land kann mit Irland in dieser Hinsicht konkurrieren. Darüber hinaus hat die Höhe der Investitionszulage die Standortentscheidung positiv beeinflußt, wobei allerdings bemängelt wird, daß der Reinvestitionsförderung zu wenig Aufmerksamkeit geschenkt wird. Noch vor den staatlichen Ansiedlungsmaßnahmen werden allerdings zwei andere Standortfaktoren genannt. Zum einen wird der Umstand, daß Irland ein englischsprachiges Land ist, besonders hoch eingeschätzt. Dies erleichte266

Tabelle 13.2:

Schätzung der Subventionszahlungen an Intel für die Errichtung einer Waferanlage ln Lelxlip, Co. Klldare

Technische Angaben:

200 MM Produktionsanlage 5.000 Waferstarts pro Woche 0,6 Micron Spurbreite

Sachkapitalinvestitionen: Anlageinvestition *): Gebäudeinvestition *):

1.090 Mill. DM 775 Mill. DM 315 Mill. DM

Investitionszulage auf das Sachkapital: Steuerbegünstigtes Leasingverfahren: . Ann.: 20% der Anlagen werden von einer Bank geleast"l - Anteil der Banken an der Investitionszutage (155: 1.090 = 14 %) - Abschreibungsvolumen der Bank (155- 27 = 128 Mill. DM) Steuerersparnis der Bank - Investitionszulage plus Steuerersparnis der Bank - Weitergabe von 90 % über reduzierte Leasingrate an lnter*l Von Intel erhaltene Subventionen - direkt von IDA - über die reduzierte Leasingrate -insgesamt Ausbildungszuschüsse*l (2.300 Beschäftigte x DM 4.846)

189 Mill. DM

155 Mill. DM 27 Mill. DM 128 Mill. DM 51 Mill. DM 78 Mill. DM 70 Mill. DM

162 Mill. DM 70 Mill. DM 232 Mill. DM 11 Mill. DM

*l Annahmen bzw. Schätzgrößen.

Quelle: ifo Institut für Wirtschaftsforschung.

267

re den Wissens- und Technologietransfer aus den amerikanischen Muttergesellschaften beträchtlich. Zum anderen hat die Nähe und der ungehinderte Zugang zum europäischen Markt die Entscheidung zugunsten Irlands in starkem Maße beeinflußt. Neben diesen beiden Faktoren wird auch das Vorhandensein gut ausgebildeter Ingenieure und Techniker hervorgehoben. Insbesondere ließen sich berufserfahrene Iren aus dem Ausland zurückholen. Die Arbeitskosten wurden als vergleichsweise niedrig angesehen. Die Infrastrukturausstattung sei zufriedenstellend. Die irische Industrieansiedlungspolitik in der Halbleiterindustrie war erfolgreich, insbesondere wenn berücksichtigt wird, daß für die Gewährung von Subventionen in einem kleinen Land wie Irland finanzielle Ressourcen nur in begrenztem Maße bereitstehen. ln jüngster Zeit ist - wie schon oben erwähnt - die auf die Ansiedlung ausländischer Unternehmen fixierte Industriepolitik in die Kritik geraten. Es wird gefordert, in Zukunft in stärkerem Maße die heimische Industrie zu fördern. Außerdem sollen die Akzente der Industriepolitik dahingehend verändert werden, daß die Humankapital- gegenüber der Sachkapitalförderung stärkeres Gewicht erhält, mehr Kredite vergeben und weniger Subventionen gewährt sowie die Beschäftigungswirkungen noch stärker beachtet werden {lndustrial Policy Review Group 1992). Die Vorschläge der Sachverständigengruppe sind von der Regierung ausführlich diskutiert worden und werden die zukünftige Industriepolitik mit Sicherheit beeinflussen {Minister for Enterprise and Employment 1993).

14

FRANKREICH

14.1 Die französische Halbleiterindustrie ln Frankreich wurden 1992 ca. 2,4 Mrd. DM Umsatz mit Halbleitern aus inländischer Herstellung erzielt. 1,3 Mrd. DM dieses Umsatzes entfielen davon auf Auslands-, 1,1 Mrd. DM auf lnlandsumsatz. Der statistisch erfaßte Exportwert lag mit 3,4 Mrd. DM deutlich höher als der Wert für den Auslandsumsatz. Diese Abweichung kann sich aus - mit Veredelungsverkehr verbundenen Mehrfacherfassungen einzelner Fertigungsstufen des Produktes und auch aus Unterschieden in der Abgrenzung der statistischen Nomenklaturen für Produktion und Außenhandel ergeben. Die Größe des Inlandsmarktes läßt sich deshalb bestenfalls grob abschätzen: Sie liegt zwischen 2,7 Mrd. DM (Produktion - Export + Import (3,7 Mrd. DM)) und 4,8 Mrd. DM (Produktion - Auslandsumsatz + Import). Nach Schätzungen von Motorola teilt sich 1992 die Inlandsnachfrage nach Halbleitern in Frankreich etwa wie folgt auf: -

Telekommunikationsgeräte Unterhaltungselektronik Informatik Automobilbau Militärischer Bedarf und Raumfahrt andere - industrielle - Bereiche

26 % 23 % 21 % 11 % 10 % 9%

Während der Halbleiterumsatz von Herstellern in Frankreich zwischen 1982 und 1992 um etwa 120 % zugenommen hat, sind die Importe im gleichen Zeitraum um ca. 300% gewachsen. Dies zeigt ein deutliches Vordringen im Ausland hergestellter Produkte auf dem französischen Markt. Frankreich weist eine starke regionale Konzentration der Produktion auf den Großraum Paris und das Gebiet um Grenoble auf (vgl. Abbildung 14.~). Fünf der elf Produktionsstandorte schließen die Diffusionsphase ein: Rausset (Großraum Paris; ES2), Cerbeil (Großraum Paris; IBM), Crolle (Raum Grenoble; SGS-Thomson), Nantes (TEMIC Matra-MHS). Toulouse (Motorola).

269

Abbildung 14.1:

Regionale Verteilung der Halbleiterindustrie in Frankreich Gebiet

Produktion

.

Forschung und Entwicklung

Großraum Paris

ATAC ES2* 1MB/Siemens Texas Instruments Thomson-CSF

Alcatei-Aisthom ES2 MISIL Philips

Raum Grenoble

SGS Thomson Thomson-CSF

SGS-Thomson

Toulouse

Motorola*

.

Nantes

TEMIC Matra-MHS*

Angers

Motorola

Caen

Philips

Villeneuve-Loubet

Andere Aktivität Motorola SGS-Thomson TEMIC Matra-MHS

Texas Instruments

* Produktion einschließlich Diffusionsphase.

Quelle: SITELESC (Verband der elektronischen Industrie), SERICS (Ministerium für Industrie, Post- und Telekommunikation und Außenhandel).

Schwerpunkte der französischen Produktion liegen, außer bei SGS-Thomson, bei spezifischen Bauelementen: Motorola produziert in Toulouse für die Unterhaltungselektronik (Decoder, Mikrocontroller, PLL) und die Telekommunikation (BiCMOS Chips für Mobiltelefone), in Angers für die Automobilindustrie (Prozessoren und Controller für Einspritzung, Zündung, ABS und Airbags). Philips stellt in Caen Halbleiter für die Unterhaltungselektronik (für TVTuner und zur Signalkonvertierung), die Telekommunikation (für die Stimmübertragung und HF-Systeme für den Mobilfunk) und Mikrocontroller für Laufwerkmotoren her, SGS-Thomson produziert EPROMs- bei denen es mit einem Weltmarktanteil von über 20 % heute Marktführer ist - und spezifische Bauelemente 270

im Werk Crolle, dem größten französischen Fertigungsstandort bei Grenoble, für Telekommunikation, Informatik und andere Anwender häufig in gemischter Technik (analog/digital), TEMIC Matra-MHS produziert in Nantes für die Telekommunikation (ASICS, Mehrkanalcontroller und Adapter für digitale Systeme, Bauelemente für Transformation, Kodierung und Kompression) , Informatik (SRAMS, Mikroprozessoren), Luft- und Raumfahrt, Verteidigung (SRAMS, ASICS) und die Automobilindustrie (Microcontroller für Zündung und ABS, Multiplexer), Texas Instruments fertigt in Velizy-Villacoublay für die Telekommunikation (DSP) und die Automobilindustrie (Mikrocontroller, Multiplexer), Thomson-CSF produziert in Orsay für Telekommunikation (GAs HFSchaltkreise, Laserdioden) , Verteidigung (Mikroprozessoren und ASICS) und Festkörperlaser; in Egreve Bauelemente für die Informatik (digitale GAs Chips) und CCDs. Nach der Einschätzung von Experten überschneiden sich die Produktspektren französischer Hersteller nicht. Dieses Ergebnis ist durch die staatliche Planung gewollt. Forschungs- und Entwicklungseinrichtungen befinden sich in Villeneuve-Loubet (in der Nähe von Nice; Texas Instruments), in Paris (Philips, Alcatei-Aisthom) und in Grenoble (SGS-Thomson). Philips partizipiert seit der Aufgabe einer eigenen CMOS Entwicklung im Jahre 1990 an der Forschung von SGSThomson. Die Verflechtung der französischen Halbleiterhersteller hat sich in den neunziger Jahren deutlich verändert. Bei SGS-Thomson (ST) haben France Telecom und die Industrieholding des Commissariat d'Energie Atomique (CEA-1) über die Holding FT2C-I wesentliche Anteile übernommen. Die Forschungsinstitute der beiden Staatsfirmen - Centre Norbert Segard (CNS ist ein Institut des CNET, das wiederum France Telecom gehört) und LETI (Forschungsinstitut des CEA) - haben seit 1990 am Standort Grenoble ein gemeinsames Institut GRESSI zur Vermeidung von Redundanz in der Forschung gegründet und sind gleichzeitig die wichtigsten Kooperationspartner in der Halbleiterforschung für Thomson. Seit Philips 1990 seine eigene CMOS Plattform aufgegeben hat, ist die Firma ebenfalls ein Partner von ST in der Forschung. Das JEMI (Joint Equipment Manufacturing Initiative) kooperiert in der

271

Entwicklung der Ausrüstungen für die Produktion, die Kooperation mit Alcatel bezieht sich auf Bauelemente für Telekommunikationsgeräte (vgl. Abbildung 14.2). Thomson-CSF, eine Tochtergesellschaft der staatlichen Graupe Thomson und gleichzeitig einer der Anteilseigner von ST, kooperiert im Forschungsbereich mit LETI, im militärischen Segment mit Motorola und bei digitalen GAs Chips mit Vitesse Semiconductor. TEMIC Matra-MHS gehört seit 1989 je zur Hälfte zu Matra-Hachette und - zu gleichen Teilen über AEG und DASA - zu Daimler-Benz. ln der Forschung kooperiert Matra-MHS vor allem mit CNS und Cypress. Im Segment Telekommunikation sind die Partner AT&T und CU, im Segment Luftfahrt Lucas-Aerospace und im Segment Automobile Renault und PSA (beim "bus" System VAN) . Die französischen Halbleiterhersteller haben also über ihre Gruppenzugehörigkeit - ähnlich wie bei japanischen oder deutschen Herstellern - Zugang zu internen Märkten auf den Gebieten militärischer Nachfrage, Unterhaltungselektronik, Telekommunikation, Automobilbau und Luft- und Raumfahrt. Im Unterschied zu den Vergleichsländern haben die zum Teil selbst in Staatsbesitz befindlichen Firmen darüber hinaus auch eine besondere Lieferverbindung zu der breiten Palette von staatlichen Unternehmen und Beteiligungen in Luftfahrt (Aerospatiale), Informationstechnik (BULL) und Automobilindustrie (Renault). Diese spezifischen Bindungen sind nach der Privatisierung einzelner Staatsunternehmen (z.B. Alcatei-Aisthom) über "stabile Aktionärsgruppen" (groupes d'actionnaires stables) nach japanischem Vorbild erhalten geblieben.

272

Abbildung 14.2:

Besitzverhältnisse und Kooperationspartner französischer Halbleiterhersteller

Firma SGS-Thomson

Gesellschafter Thomson-CSF FT2C-i" Italienischer Anteil

Thomson-CSF

.

Groupe Thomson

Kooperationspartner GRESSI (CNET & LETI) CNS I CNET Philips Alcatel JE MI Motorola Vitesse Semiconductor Corp. LETI

TEMIC Matra-MHS

Matra-Hachette AEG DASA

CNS I CNET Cypress Ross Technology AT & T Compression Lab industry Lucas Aarespace Renault PSA

.

staatlich.

Quellen: Matra, SERICS, SITELESC.

18 Hilpert u. a.

273

14.2 Wirtschaftspolitische Philosophie Frankreich betreibt eine sektorale lndustriepolitik, die von der Überzeugung getragen ist, daß die Halbleiterherstellung und das dazu notwendige Know-how von großer Bedeutung für die weitere Entwicklung der französischen Wirtschaft seien und eine Halbleiterindustrie in keinem Land ohne staatliche Zuwendungen zustandegekommen sei. Die industriepolitische Orientierung läßt mehrere Entwicklungsstufen erkennen: Im .ersten "plan des composants" zu Beginn der siebziger Jahre wurden nur französische Firmen gefördert. Der zweite Plan setzte 1977, nach Scheitern des ersten, auf Technologietransfer von amerikanischen Herstellern über drei Joint Ventures und die FuE Förderung von diesen und zwei weiteren Firmen. Als auch der zweite Plan wegen verzögerter Durchführung, zu starker Streuung der staatlichen Mittel und erheblicher Verluste der Firmen scheiterte, wurde im dritten Plan {1982) auf eine stärkere Konzentration der Mittel gesetzt. ln der Branchenkrise Mitte der achtziger Jahre wurde erkennbar, daß die nationalen Mittel zur Förderung der Halbleiterindustrie nicht ausreichen würden. Nun wurde auf europäische Kooperation im Rahmen von Programmen wie EUREKA, später JESSI und ESPRIT gesetzt. Es hat also keine langfristige und kontinuierliche Förderstrategie, sondern eine Folge unterschiedlicher Schritte beim Versuch der Schaffung einer wettbewerbsfähigen Halbleiterindustrie gegeben.

14.3 Förderung von Forschunq und Entwicklung Heute ist die FuE-Förderung die einzige staatliche Form der Zuschußvergabe. Die französische FuE-Förderung läßt sich durch drei Besonderheiten charakterisieren: 274

eine relativ stark zentralisierte, weitreichende und strategisch ausgerichtete Planung, erheblicher Mitteleinsatz in Forschungsinstitute staatlicher Firmen mit der Möglichkeit zur Quersubventionierung aus den Gebühreneinnahmen auf regulierten Märkten (wie z.B. bei France Telecom) bei gleichzeitiger Gemeinsamkeit der Forschungsziele mit der Halbleiterindustrie. Hierbei handelt es sich im engeren Sinne nicht um staatliche Förderung, weil die Finanzierung über den Umweg staatlicher Unternehmen erfolgt, als Forschungsförderung von Pilotanlagen deklarierte, verdeckte lnvestitionszuschüsse. Zunächst wurde die FuE-Förderung vom Industrie- und Verteidigungsministerium betrieben. Im Industrieministerium wurde zu diesem Zweck eine Direktion der elektronischen und Informatik- Industrie (DIELI) gegründet. Zu Beginn der achtziger Jahre kamen weitere Förderungsinstitutionen hinzu: Die Ministerien für Wirtschaft und Finanzen sowie Technologie, die Generaldirektion Telekommunikation (DGT) und die Atomenergiekommission (CEA). Die beiden letztgenannten Institutionen leisteten vor allem über ihre Forschungsinstitute (CNET und LETI) wesentliche Beiträge zur französischen FuE in der Branche. Heute ist die Organisation der Forschungsförderung deutlich verändert. Wenn auch das Verteidigungsministerium nach wie vor militärische und France Telecom nachrichtentechnische Projekte fördert, ist die Richtlinienkompetenz für alle zivilen Projekte im Ministerium für Industrie, Post und Telekommunikation und Außenhandel zusammengefaßt. ln der Generaldirektion für industrielle Strategie - Dienststelle der Kommunikations- und Dienstleistungsindustrien (SERICS - der Nachfolgeorganisation des DIELI) gibt es eine Unterdirektion Halbleiter (neben den Unterdirektionen Informatik und Datenverarbeitung, Unterhaltungselektronik, industrielle Elektronik, Luft- und Raumfahrt) . ln den Umorganisationen der letzten Jahre wird eine stärkere Zentralisierung und Koordination der FuE-Politik im Halbleiterbereich erkennbar. die sich auch auf der Ausbildungsseite wiedererkennen läßt. Französische Halbleiterhersteller und die beiden wichtigen Forschungseinrichtungen - CNS und LETI - haben sich zu einem wissenschaftlichen Koordinationsgremium (GCIS) für die Forschung zusammengeschlossen. Der Zusammenschluß beeinflußt auch die Programme der universitären Forschung.

18.

275

ln der universitären Ausbildung und Forschung wurden drei Schwerpunkte (pöles lourds) -jeweils an bedeutsamen Produktionsstätten - und acht Zentren (pöles specialises) in Lilie, Rennes, Orsay, Strasbourg, Limoges, Lyon, Bordeaux und Montpellier geschaffen. Die Koordination dieser Zentren wird vom nationalen Komitee für Ausbildung in der Mikroelektronik (CNMF) wahrgenommen. ln ihm sind Vertreter der Ministerien für Erziehung und Industrie, der Berufsverbände, des Verbandes der elektronischen Industrie und die Direktoren der Zentren vertreten. ln den drei Schwerpunkten sind die Voraussetzungen für die Herstellung integrierter Schaltkreise vorhanden. Daneben sind sechs technische und drei kommerzielle Berufsbilder für die Mikroelektronik entwickelt worden. Auch Eliteschulen - wie Ecole Polytechnique, Sup'Eiec (Ecole Superieure Electrique) und HEC - sind in das Ausbildungsund Forschungsprogramm eingebunden. Planung und Abstimmung aller Programme werden zweifellos durch die Kontakte ehemaliger Studenten der Eliteschulen erleichtert. Relativ früh wurden in Frankreich zentrale, im Besitz staatlicher Firmen befindliche Forschungsinstitute für den Halbleiterbereich gefördert: das CNET (Centre National des Etudes en Telecommunication; früher zur Diraction Generale des Telecommunications heute zu France Telecom gehörend) mit seinem später gegründeten, auf Halbleiterforschung spezialisierten Institut CNS (Centre Norbert Segard), das LETI (Laboratoire Electronique, Technologie, Instrumentation; Institut des Atomenergiekommissariats CEA) und das GRESSI (Grenoble Submieren Silicon) . ein Gemeinschaftsinstitut von CNET und LETI zur Vermeidung von Forschung auf gleichen Gebieten. Daneben gibt es noch eine Reihe anderer staatlicher Forschungseinrichtungen bei CNRS (Centre National de Ia Recherche Scientifique), Ecole Polytechnique und Sup'Eiec. Alle Institute werden überwiegend aus staatlichen Mitteln oder Gebühreneinnahmen regulierter Märkte finanziert. Die enge Verflechtung dieser Forschungseinrichtungen mit Thomson wird bereits durch ihre Standorte erkennbar: um Orsay (Produktion von Thomson-CSF) sind LETI und Institute von CNRS, Polytechnique und Sup'Eiec gruppiert,

276

um Grolle (Produktion von ST) sind GNS, GRESSI und der universitäre Schwerpunkt GIME gruppiert. Auch TEMIG Matra-MHS und Philips haben Zugriff auf Teile dieses Knowhows. Außerdem sind GNS, LETI und GRESSI indirekt mit ST verflochten, da France Telecom und GEA-1 über FT2G-I wesentliche Anteilseigner von ST sind. Zahlenmäßige Hinweise auf den Förderumfang sind nur in Ausnahmefällen vorhanden. Zum Teil liegt dies daran, daß das Segment Halbleiter nicht getrennt ausgewiesen wird, zum Teilliegt es an der komplexen Verschachtelung der französischen Herstellerfirmen. Ein größerer staatlicher Zuschuß ist im Zusammenhang mit dem Werk Grolle (der größten und modernsten Produktionsstätte Frankreichs) bezahlt worden: Von den Investitionskosten (ca. 1,05 Mrd. DM) hat der Staat etwa 25 % als FuE-Zuschuß für die Errichtung einer Pilotanlage gegeben. Da dieser FuEZuschuß der Produktionsanlage zugute kam, kann darin ein verdeckter lnvestitionszuschuß gesehen werden. Seit dem Zusammenschluß von SGS und Thomson erhält ST auch, auf der Basis vertraglicher Vereinbarung, Fördermittel des italienischen Staates. Es war allerdings nichts über den Umfang der Finanzierungsbeiträge zu Grolle zu erfahren. Nach Schätzungen der DLA erhielt Frankreich in den Jahren von 1988 bis 1994 aus den europäischen Programmen ESPRIT (incl. JESSI) etwa 340 Mill. DM Fördermittel. Außer durch FuE-Zuschüsse werden die FuE-Aufwendungen der Halbleiterindustrie steuerlich gefördert. Auf Zuwächse der FuE-Aufwendungen gegenüber dem Vorjahr werden Steuergutschriften in Höhe von 50 % des Zuwachses gewährt (Harhoff 1994).

277

14.4 Förderung von Investition und Produktion Im Rahmen des zweiten Halbleiterplans wurden an die fünf beteiligten Firmen etwa 300 Mill. DM bezahlt; vom Finanzvolumen des dritten Planes - grob 1,15 Milliarden DM - wurden zwei Drittel (also ca. 770 Mill. DM) vom Staat aufgebracht (Howell, Bartlett, Davis 1992). Die letztgenannten Mittel kamen wesentlich Thomson und den Forschungsinstituten CNET und LETI zugute. Daneben wurde in den späten siebziger Jahren eine Ansiedlungspolitik betrieben, die den Firmen über fünf Jahre Steuerfreiheit gewährte (exoneration d'impöt). Bei den Ansiedlungsentscheidungen bestimmte weitgehend die DATAR (Delegation l'amenagement du territoire et l'action regionale) über ein Auswahlangebot von Standorten. Es gab wohl auch "lease back" Modelle auf regionaler Ebene zur Finanzierung der Produktionsstätten. Keiner der Produktionsbetriebe ist in einer Region mit starker EU-Förderung angesiedelt.

a

a

Heute gibt es nach Angaben des Industrieministeriums Regionalförderung nur noch im Rahmen der EU-Fördersätze. Eine darüber hinausgehende staatliche Förderung wird in Frankreich nicht mehr praktiziert.

14.5 Marktzugangsbeschränkungen Im Rahmen des zweiten Halbleiterplans wurden Marktzugangsbeschränkungen genutzt, um amerikanische Unternehmen zu Technologietransfer und Joint Ventures mit drei französischen Firmen zu bewegen. Heute gibt es keine nationalen Marktzugangsbeschränkungen mehr. Tarifära oder nichttarifäre (''freiwillige Selbstbeschränkung") Zugangsbeschränkungen sind der EU vorbehalten.

14.6 Sonstige Maßnahmen Wenn heute nur noch FuE-Zuschüsse als Mittel staatlicher Politik angesehen werden ist doch zu berücksichtigen, daß in Frankreich wesentliche Wettbewerbsverzerrungen aus Verlustübernahmen und einer auf Konzentration aus-

278

gerichteten Wettbewerbspolitik - die in den meisten westlichen Industrieländern aus kartellrechtlichen Grundsätzen nicht möglich gewesen wäre - entstanden sind. Beide Politiken sind insofern eng miteinander verflochten, als die Übernahmen von Firmen mit erheblichen Verlusten nur durch die staatliche Auffanggarantie möglich war. Im Halbleiterbereich der Graupe Thomson, zu dem damals ST noch vollständig gehörte, sind in 1990 und 199.1 zweimal Verluste übernommen worden, die zusammen knapp unterhalb eines vierstelligen Millionenbetrages liegen dürften. Weitere staatliche Verlustübernahmen sind durch die Veränderung des Eignerkreises von ST nicht mehr zu erwarten. Auftretende Verluste könnten aber durch "Quersubventionierung" kaschiert werden. Nicht unterschätzt werden sollte auch die Auswirkung der staatlich geförderten Konzentration im Rahmen der Graupe Thomson. Die Bildung des Schwerpunktes Halbleiter begann mit der Übernahme von Sescosem. Im Laufe der siebziger Jahre wurde dann EFCIS (eine Gründung des CEA) mehrheitlich erworben. Nach der Nationalisierung wurden in den achtziger Jahren Eurotechnique, Mostek, SGS (Zusammenschluß mit französischer Mehrheit) und lnmos übernommen. Seit 1990 kooperieren ST und Philips im CMOS Bereich. So ist mit staatlicher Förderung der zwölftgrößte Halbleiterproduzent der Weit entstanden.

14.7 Einschätzungen Insgesamt wurde die Bedeutung der staatlichen Förderpolitik von den befragten Unternehmen als sehr hoch eingeschätzt. Ohne diese Politik gäbe es heute keine französische Produktion mehr, mit dieser Politik seien die Firmen mittlerweile zu wettbewerbsfähigen Anbietern geworden. Diese Ansicht wird auch von der Studie des amerikanischen Halbleiterverbandes (Howell, BartJett, Davis 1992) geteilt. Die Maßnahmen wurden dabei unterschiedlich beurteilt: FuE-Förderung und Investitionszuschüsse wurden als wichtig angesehen. Daß die Industrie Investitionszuschüsse als wichtige Maßnahmen nennt, könnte auf eine andere Beurteilung von als Forschungsförderungsmitteln deklarierten Zuschüssen hinweisen. Interventionen beim Marktzugang - sei es durch Zölle, Quoten, 279

restriktive Prozeduren, freiwillige Selbstbeschränkungen oder AntidumpingMaßnahmen - wurden eher als unwichtig angesehen. Bei der FuE-Förderung ist allerdings nach Instrumenten zu differenzieren. Als sehr wichtig wurden Projektförderung, staatliche Forschungsaufträge und die Zulassung von privaten Forschungskooperationen (einschließlich der als privat betrachteten, von staatlichen Unternehmen abhängigen und staatlich geförderten Forschungseinrichtungen) angesehen. Die Nutzung staatlicher Forschungskapazitäten wurde als wichtig bezeichnet. Dies läßt vermuten, daß die französischen Unternehmen einen Einfluß auf die Forschungsprogramme der Institute von France Telecom und CEA-1 ausüben und deren Ergebnisse kostenlos übernehmen konnten. Eine gewisse Bedeutung kommt auch dem Patentsystem zu. Eher unwichtig waren steuerliche Förderung oder spezielle Ausbildungsprogramme. Tendenziell wurde die Bedeutung staatlicher Eingriffe für Speicherbausteine höher eingeschätzt als für Logikbausteine. Der nach wie vor bedeutsame Staatsanteil an Thomson, die Verflechtungen der französischen Halbleiterhersteller mit halbstaatlichen und staatlichen Forschungsinstituten und wichtigen Abnehmern nehmen im europäischen Vergleich eine Sonderstellung ein.

Exkurs: Die fünf Phasen der Chip-Fertigung 1 1.

Wafer-Produktion: Aus Quarzit werden in dem Prozeß des Kristallziehans höchstreine, meist einkristalline Siliziumstäbe geschmolzen. Die Stäbe werden durch Sägen in einzelne millimeterdünne Scheiben (englisch: wafer) getrennt und anschließend poliert und gereinigt. Die kapitalintensive Wafer-Herstellung bietet hohe Skalenerträge. Nur die großen Halbleiterproduzenten führen die Wafer-Produktion noch in-hause durch, während die Mehrzahl der Chip-Hersteller die Halbleiterscheiben von externen Spezialisten bezieht.

2.

Chip-Design: Mit CAD-Unterstützung erstellen Entwicklungsingenieure den spezifischen Schaltungsentwurf des Chip abhängig von der Produktkategorie und der Anwendereinflußnahme (bezüglich HardwareArchitektur, Verhaltensbeschreibung, Logik). Ergebnis des Designs ist ein Layout, in dem der Schaltungsentwurf mit seinen entsprechenden geometrischen Strukturen (bezüglich Flächenplanung, Konstruktion und Plazierung der Funktionselemente, Verdrahtung) dargestellt ist. Die Layout-Daten werden mit einem Elektronenschreiber auf Fotomasken übertragen. Für einen integrierten Schaltkreis werden etwa zehn bis zwanzig Fotomasken mit unterschiedlichen Teilstrukturen benötigt. Das Chip-Design ist die besonders FuE-intensive Phase der IC-Herstellung. Sie erfordert je nach Standardisierungsgrad des Produkts eine mehr oder minder intensive Kooperation zwischen Hersteller und Anwender. Bei entsprechender technologischer Kompetenz wird das Design der ASIC-Chips in vielen Fällen vom Anwender vollständig selbst übernommen.

3.

Chip-Herstellung: ln der Chip-Herstellung, dem Kern des IC-Produktionsprozesses, erfolgt die materielle Realisierung des Schaltungsentwurfs auf den Siliziumscheiben. Dazu wird die Oberfläche des Wafers mehreren, sich für jede Fotomaske wiederholenden Arbeitsschritten unterzogen: - Dotierung mit Fremdatomen,

1

Zur Darstellung des Herstellungsprozesses integrierter Schaltungen siehe: Bletschacher, Klodt 1992; Honold 1993; Langlois et al. 1988; Sautter, Weinerth 1990.

281

Erzeugen einer Oxidschicht auf der Oberfläche durch thermische Oxidation, Auftragen einer photochemischen lackschicht, - Belichtung des Lacks durch die Maske mit den Schaltungsstrukturen, - Entwicklung und Herausätzen der unbelichteten Stellen, - Dotierung der belichteten Strukturen. Nach Übertragung aller Maskenstrukturen werden die Transistoren des ICs durch großflächiges Aufdampfen von Aluminium miteinander verbunden, überflüssige Anschlüsse werden durch Herausätzen wieder beseitigt. Die Chip-Herstellung stellt Extremanforderungen hinsichtlich Genauigkeit und hinsichtlich der Umweltbedingungen der Produktion. Jede neue Fotomaske ist exakt in der gleichen Position zu justieren. Die Temperatur- und Feuchtigkeit in den Reinräumen ist konstant zu halten. Damit ist dieser Produktionsschritt besonders anlagenintensiv. 4.

Montage und Verpackung: Die bearbeitete Siliziumscheibe wird durch Brechen und Sägen in kleine Stücke (englisch: chip) zerlegt, die alle einzelne Schaltungen darstellen. Die markierten funktionsfähigen ICs werden danach auf Kunststoff- oder Keramiksockel montiert. An die Kontakte der Schaltungen werden Golddrähte gelötet, die die Außenanschlüsse darstellen (Banden). Anschließend erfolgt die Verpackung durch Einschweißen in Plastikfolien. Die Montagephase ist im gesamten Herstellungsprozeß der Teil mit dem größten menschlichen Arbeitsaufwand und der höchsten Lohnintensität Deshalb wird die Montage oft in Niedriglohnländer ausgelagert.

5.

Chip-Prüfung: Die Chips werden in elektrischen Tests auf ihre Funktionsfähigkeit hin untersucht. Mit zunehmender Integration hat es sich als sinnvoll erwiesen, laufende Tests bereits in der Entwurfsphase und während der Herstellung durchzuführen. Die Phase der Herstellung und der Tests finden deshalb meist am gleichen Standort statt.

Die Beschreibung des Herstellungsprozesses zeigt, daß Trends zur Intensivierung der Arbeitsteilung vorhanden sind und daß die durchgängige Wertschöpfungskette eines IC-Gesamtanbieters partielle Auflösungstendenzen aufweist. Nicht nur für die Chip-Anwender, sondern auch für die Produzenten stellt sich die Frage des make or buy.

282

Literaturverzeichnis

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Anhang

Umrechnungstabelle

Jahr

USA DM I US-$

Japan DM I Yen

Korea Won I DM

Taiwan NT-$ I DM

1986 1987 1988 1989 1990 1991 1992 1993

2,1708 1,7982 1,7584 1,8813 1,6161 1,6612 1,5595 1,6544

1,2915 1,2436 1,3707 1,3658 1'1183 1,2346 1,2313 1.4945

406,05 457,44 415,99 356,91 437,94 441,46 500,58 489,24

82,14 57,25 50,26 49,68 43,46 44,55 39,24 43,38

Quelle: Durchschnitte der amtlichen Devisenkurse an der Frankfurter Börse, Deutsche Bundesbank, IMF.